碳化硅MOSFET

碳化硅MOSFET
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结果: 1,482
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
数据表
产品评论
460库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24
数据表
227库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO24
数据表
676库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247
数据表
532库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247
数据表
121库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 113 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 232 nC - 55 C + 175 C 577 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 650V 118A N-CH SIC
数据表
827库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 118 A 22.1 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 172 nC + 175 C 427 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
数据表
产品评论
199库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 60m 3rd Gen TO-263-7L
数据表
1,757库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
数据表
产品评论
1,619库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7L
数据表
1,718库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
数据表
776库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET 60MOHM 900V
数据表
1,078库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
数据表
1,185库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 40

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-247-4L
数据表
860库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
数据表
491库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC
数据表
641库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220-3
数据表
507库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 50

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO263
数据表
486库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO263
数据表
698库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 40m 3rd Gen TO-263-7L
数据表
496库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
数据表
1,822库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
数据表
750库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
数据表
819库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 148 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
数据表
1,589库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
数据表
400库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC