碳化硅MOSFET

碳化硅MOSFET
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结果: 1,481
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-247-4L
数据表
860库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC
数据表
641库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220-3
数据表
507库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 50

Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO263
数据表
486库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO263
数据表
698库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 40m 3rd Gen TO-263-7L
数据表
496库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
数据表
1,822库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
数据表
750库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
数据表
809库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 148 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
数据表
1,589库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
数据表
400库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
数据表
314库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 650V 39A N-CH SIC
数据表
704库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 60 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET 60MOHM
数据表
1,002库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
数据表
736库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 52 A 59 mOhms - 7 V, + 20 V 5.7 V 57 nC - 55 C + 175 C 228 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
数据表
323库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 36 A 83 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
422库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
335库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
数据表
283库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 52 A 35 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 228 W Enhancement CoolSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
数据表
454库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
数据表
617库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 47 A 45 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 46 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
643库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
数据表
368库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 13 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement CoolSiC
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3
数据表
1,251库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3
数据表
458库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET