GaN 场效应晶体管

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Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	数量	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名
GaN 场效应晶体管 700V, 240mohm GaN FET in DPAK TP70H240G4ZS-TR Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP70H240G4ZS-TR Mouser 零件编号 227-TP70H240G4ZSTR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 700V, 240mohm GaN FET in DPAK	数据表	受限供货情况	SMD/SMT	TO-252-3L	N-Channel	1 Channel	700 V	8 A	312 mOhms	20 V	2.5 V	5.4 ns	- 55 C	+ 150 C	31.2 W	Enhancement	SuperGaN
GaN 场效应晶体管 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN TP70H300G4JSGB-TR Renesas Electronics 受限供货情况	制造商零件编号 TP70H300G4JSGB-TR Mouser 零件编号 227-TP70H300G4JSGBTR	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN 了解更多关于Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets 的信息	数据表	受限供货情况					700 V										SuperGaN
GaN 场效应晶体管 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP70H300G4LSGB-TR Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP70H300G4LSGB-TR Mouser 零件编号 227-TP70H300G4LSGBTR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN 了解更多关于Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets 的信息	数据表	受限供货情况					700 V										SuperGaN
GaN 场效应晶体管 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN TP70H480G4JSG-TR Renesas Electronics 受限供货情况	制造商零件编号 TP70H480G4JSG-TR Mouser 零件编号 227-TP70H480G4JSG-TR	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 了解更多关于Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets 的信息	数据表	受限供货情况					700 V										SuperGaN
GaN 场效应晶体管 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN TP70H480G4JSGB-TR Renesas Electronics 受限供货情况	制造商零件编号 TP70H480G4JSGB-TR Mouser 零件编号 227-TP70H480G4JSGBTR	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 了解更多关于Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets 的信息	数据表	受限供货情况					700 V										SuperGaN
GaN 场效应晶体管 700V, 480mohm GaN FET in DPAK TP70H480G4ZS-TR Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP70H480G4ZS-TR Mouser 零件编号 227-TP70H480G4ZSTR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 700V, 480mohm GaN FET in DPAK	数据表	受限供货情况	SMD/SMT	TO-252-3L	N-Channel	1 Channel	700 V	5 A	560 mOhms	20 V	2.5 V	5.2 nC	- 55 C	+ 150 C	25 W	Enhanecement	SuperGaN
GaN 场效应晶体管 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H150G4LSGBE-TR Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP65H150G4LSGBE-TR Mouser 零件编号 968-P65H150G4LSGBETR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN	数据表	受限供货情况	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	650 V	14.2 A	180 mOhms	20 V	2 V	14 nC	- 55 C	+ 150 C	62.5 W	Enhancement	SuperGaN
GaN 场效应晶体管 650V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H300G4LSGBE-TR Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP65H300G4LSGBE-TR Mouser 零件编号 968-P65H300G4LSGBETR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN	数据表	受限供货情况	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	650 V	8 A	312 mOhms	20 V	2 V	12.7 nC	- 55 C	+ 150 C	31.5 W	Enhancement	SuperGaN
GaN 场效应晶体管 650V, 85mohm GaN FET in TOLL TP65H085G4QS-TR Renesas Electronics 受限供货情况	制造商零件编号 TP65H085G4QS-TR Mouser 零件编号 968-TP65H085G4QS-TR	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 85mohm GaN FET in TOLL		受限供货情况					650 V										SuperGaN
GaN 场效应晶体管 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H150G4LSGE-TR Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP65H150G4LSGE-TR Mouser 零件编号 968-TP65H150G4LSGETR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN	数据表	受限供货情况	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	650 V	16 A	180 mOhms	20 V	4.8 V	8 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	SuperGaN
GaN 场效应晶体管 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP70H300G4LSG-TR Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP70H300G4LSG-TR Mouser 零件编号 968-TP70H300G4LSG-TR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN 了解更多关于Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets 的信息	数据表	受限供货情况	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	700 V		312 mOhms	12 V	2.5 V	5.4 nC	- 55 C	+ 150 C	31.2 W		SuperGaN
GaN 场效应晶体管 700V, 300mohm GaN FET in TO220 TP70H300G4PS Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP70H300G4PS Mouser 零件编号 968-TP70H300G4PS 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 700V, 300mohm GaN FET in TO220 了解更多关于Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets 的信息	数据表	受限供货情况	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	700 V		312 mOhms	12 V	2.5 V	5.4 nC	- 55 C	+ 150 C	31.2 W		SuperGaN
GaN 场效应晶体管 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP Renesas Electronics TP65H065G4PLSGB-TR TP65H065G4PLSGB-TR Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP65H065G4PLSGB-TR Mouser 零件编号 227-P65H065G4PLSGBTR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP		受限供货情况					650 V										SuperGaN
GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Renesas Electronics TP65H070G4LSGBA-TR TP65H070G4LSGBA-TR Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP65H070G4LSGBA-TR Mouser 零件编号 227-P65H070G4LSGBATR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN		受限供货情况					650 V										SuperGaN
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-4L Renesas Electronics TP65H030G4PYS TP65H030G4PYS Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP65H030G4PYS Mouser 零件编号 227-TP65H030G4PYS 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-4L		受限供货情况		TO-247-4L			650 V										SuperGaN
GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TOLL Renesas Electronics TP65H050G4PQS-TR TP65H050G4PQS-TR Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP65H050G4PQS-TR Mouser 零件编号 227-TP65H050G4PQSTR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TOLL		受限供货情况					650 V										SuperGaN
GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TOLT Renesas Electronics TP65H050G4PRS-TR TP65H050G4PRS-TR Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP65H050G4PRS-TR Mouser 零件编号 227-TP65H050G4PRSTR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TOLT		受限供货情况					650 V										SuperGaN
GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L Renesas Electronics TP65H050G4PWS TP65H050G4PWS Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP65H050G4PWS Mouser 零件编号 227-TP65H050G4PWS 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L		受限供货情况		TO-247-3L			650 V										SuperGaN
GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L Renesas Electronics TP65H050G4PYS TP65H050G4PYS Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP65H050G4PYS Mouser 零件编号 227-TP65H050G4PYS 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L		受限供货情况		TO-247-4L			650 V										SuperGaN
GaN 场效应晶体管 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP Renesas Electronics TP65H065G4PLSG-TR TP65H065G4PLSG-TR Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP65H065G4PLSG-TR Mouser 零件编号 227-TP65H065G4PLSGTR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP		受限供货情况					650 V										SuperGaN
GaN 场效应晶体管 650V, 65mohm GaN FET in TO-220 Renesas Electronics TP65H065G4PPS TP65H065G4PPS Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP65H065G4PPS Mouser 零件编号 227-TP65H065G4PPS 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 65mohm GaN FET in TO-220		受限供货情况					650 V										SuperGaN
GaN 场效应晶体管 650V, 65mohm GaN FET in TOLL Renesas Electronics TP65H065G4PQS-TR TP65H065G4PQS-TR Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP65H065G4PQS-TR Mouser 零件编号 227-TP65H065G4PQSTR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 65mohm GaN FET in TOLL		受限供货情况					650 V										SuperGaN
GaN 场效应晶体管 650V, 65mohm GaN FET in TOLT Renesas Electronics TP65H065G4PRS-TR TP65H065G4PRS-TR Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP65H065G4PRS-TR Mouser 零件编号 227-TP65H065G4PRSTR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 65mohm GaN FET in TOLT		受限供货情况					650 V										SuperGaN

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