Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

结果: 48
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
数据表
1,575库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 4,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
数据表
345库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
数据表
1,102库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
数据表
1,303库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 100mohm GaN FET in TO220
数据表
720库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
数据表
560库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
数据表
2,662库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
数据表
2,446库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in TO220
数据表
959库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in TOLT
数据表
1,669库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
数据表
3,769库存量
最低： 1
倍数： 1
: 4,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT
数据表
1,254预期 2026/9/18
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,300

SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 150mohm GaN FET in TO220
数据表
1,938预期 2026/7/7
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1,200
倍数： 1,200

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP
数据表

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.8 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP
数据表

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 14.6 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 59.5 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
数据表

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
数据表

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
数据表

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
数据表

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
数据表

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP
数据表

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 700V, 130mohm GaN FET in TO-220
数据表

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
数据表

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN 场效应晶体管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
数据表

700 V SuperGaN