GaN 场效应晶体管

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Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	技术
GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGB-TR Renesas Electronics 1: ¥69.156 2,446库存量	制造商零件编号 TP65H070G4LSGB-TR Mouser 零件编号 227-TP65H070G4LSGBTR	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 了解更多关于Renesas Electronics transphorm tp65h150bg4jsg gan fet 的信息	数据表	2,446库存量	剪切带 ¥69.156 ¥46.9854 ¥34.4876 ¥33.6627 ¥30.849 卷轴 ¥27.459	最低： 1 倍数： 1 : 3,000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN TP65H480G4JSG-TR Renesas Electronics 1: ¥17.9444 1,475库存量	制造商零件编号 TP65H480G4JSG-TR Mouser 零件编号 227-TP65H480G4JSG-TR	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 了解更多关于Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets 的信息	数据表	1,475库存量	剪切带 ¥17.9444 ¥8.6897 ¥7.4467 ¥6.1359 卷轴 ¥4.859 查看 ¥6.1133 ¥5.7969 ¥4.4409 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 4,000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	650 V	3.6 A	560 mOhms	- 18 V, + 18 V	2.8 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	13.2 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT TP65H030G4PRS-TR Renesas Electronics 1: ¥88.0948 1,794库存量新产品	制造商零件编号 TP65H030G4PRS-TR Mouser 零件编号 227-TP65H030G4PRS-TR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT 了解更多关于Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets 的信息	数据表	1,794库存量	剪切带 ¥88.0948 ¥48.8838 ¥46.3187 卷轴 ¥40.3636 ¥37.7985 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,300	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L TP65H030G4PWS Renesas Electronics 1: ¥91.982 1,060库存量新产品	制造商零件编号 TP65H030G4PWS Mouser 零件编号 227-TP65H030G4PWS 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L 了解更多关于Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets 的信息	数据表	1,060库存量	¥91.982 ¥51.2003 ¥47.3922 ¥41.1885 查看报价	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL TP65H030G4PQS-TR Renesas Electronics 1: ¥87.5976 219库存量新产品	制造商零件编号 TP65H030G4PQS-TR Mouser 零件编号 227-TP65H030G4PQS-TR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL 了解更多关于Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets 的信息	数据表	219库存量	剪切带 ¥87.5976 ¥58.3193 ¥51.6184 ¥45.3243 ¥40.4427 卷轴 ¥37.4708 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 2,000	SMD/SMT	TOLL-10	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms		4.8 V	24.5 nC	- 55C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L TP65H050G4YS Renesas Electronics 1: ¥86.4337 529库存量	制造商零件编号 TP65H050G4YS Mouser 零件编号 227-TP65H050G4YS	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L 了解更多关于Renesas Electronics transphorm tp65h050g4ys supergan fet 的信息	数据表	529库存量	¥86.4337 ¥51.1212 ¥43.3468 ¥37.6403 查看 ¥36.9736 报价	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	35 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSG-TR Renesas Electronics 1: ¥70.3877 2,585库存量	制造商零件编号 TP65H070G4LSG-TR Mouser 零件编号 227-TP65H070G4LSG-TR	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 了解更多关于Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets 的信息	数据表	2,585库存量	剪切带 ¥70.3877 ¥38.2166 ¥35.1543 ¥34.4876 ¥31.5948 卷轴 ¥28.1257	最低： 1 倍数： 1 : 3,000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in TO220 TP65H070G4PS Renesas Electronics 1: ¥67.9921 815库存量	制造商零件编号 TP65H070G4PS Mouser 零件编号 227-TP65H070G4PS	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in TO220 了解更多关于Renesas Electronics transphorm tp65h070g4ps gan fet 的信息	数据表	815库存量	剪切带 ¥67.9921 ¥37.7985 ¥34.6571 ¥29.2783 卷轴 ¥29.1992	最低： 1 倍数： 1 : 1,000	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.7 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in TOLT TP65H070G4RS-TR Renesas Electronics 1: ¥70.5572 1,618库存量	制造商零件编号 TP65H070G4RS-TR Mouser 零件编号 227-TP65H070G4RS-TR	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in TOLT 了解更多关于Renesas Electronics transphorm tp65H070g4rs supergan tolt fet 的信息	数据表	1,618库存量	剪切带 ¥70.5572 ¥38.2957 ¥35.2334 ¥34.578 卷轴 ¥28.2839 ¥28.2048	最低： 1 倍数： 1 : 1,300	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 650V, 100mohm GaN FET in TO220 TP65H100G4PS Renesas Electronics 1: ¥54.7598 716库存量 Mouser 的新产品	制造商零件编号 TP65H100G4PS Mouser 零件编号 227-TP65H100G4PS Mouser 的新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 100mohm GaN FET in TO220	数据表	716库存量	剪切带 ¥54.7598 ¥29.0297 ¥26.555 ¥22.2497 卷轴 ¥22.1706 查看 ¥21.8316 报价	最低： 1 倍数： 1 : 1,000	Through Hole	TO-220-3	N-Channel		650 V	18.9 A	110 mOhms	- 20 V, + 20 V	3.65 V	14.4 nC	- 55 C	+ 150 C	65.8 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN TP65H480G4JSGB-TR Renesas Electronics 1: ¥18.0348 3,744库存量	制造商零件编号 TP65H480G4JSGB-TR Mouser 零件编号 227-TP65H480G4JSGBTR	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 了解更多关于Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets 的信息	数据表	3,744库存量	剪切带 ¥18.0348 ¥8.6897 ¥7.7744 ¥6.1811 卷轴 ¥4.859 查看 ¥5.9325 ¥5.7291 ¥4.4409	最低： 1 倍数： 1 : 4,000	SMD/SMT	QFN-7	N-Channel	1 Channel	650 V	3.6 A	560 mOhms	- 10 V, + 10 V	2.8 V	5 nC	- 55 C	+ 150 C	13.2 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 650V, 150mohm GaN FET in TO220 TP65H150G4PS Renesas Electronics 1: ¥44.748 1,755库存量	制造商零件编号 TP65H150G4PS Mouser 零件编号 227-TP65H150G4PS	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 150mohm GaN FET in TO220 了解更多关于Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets 的信息	数据表	1,755库存量	¥44.748 ¥24.2385 ¥21.5943 ¥18.0348 查看 ¥17.6167 ¥16.6223	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	13 A	180 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT TP65B110HRU-TR Renesas Electronics 1: ¥66.0033 1,152在途量新产品	制造商零件编号 TP65B110HRU-TR Mouser 零件编号 227-TP65B110HRU-TR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT 了解更多关于Renesas Electronics renesas tp65b110hru bi directional switch 的信息	数据表	1,152在途量	剪切带 ¥66.0033 ¥44.748 ¥32.6683 ¥31.6852 ¥29.4478 卷轴 ¥25.8092 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 1,500															SuperGaN
GaN 场效应晶体管 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L TP65H035G4YS Renesas Electronics 1,200: ¥45.4147 无库存交货期 26 周	制造商零件编号 TP65H035G4YS Mouser 零件编号 227-TP65H035G4YS	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L 了解更多关于Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet 的信息	数据表	无库存交货期 26 周	¥45.4147	最低： 1,200 倍数： 600	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	46.5 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	3.6 V	42.7 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP TP70H135G4PJSGB-TR Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP70H135G4PJSGB-TR Mouser 零件编号 227-P70H135G4PJSGBTR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	700 V	15.8 A	169 mOhms	20 V	2.5 V	5.9 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP TP70H135G4PLSGB-TR Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP70H135G4PLSGB-TR Mouser 零件编号 227-P70H135G4PLSGBTR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	700 V	14.6 A	169 mOhms	20 V	2.5 V	5.9 nC	- 55 C	+ 150 C	59.5 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TOLL TP65H050G4QS-TR Renesas Electronics 受限供货情况	制造商零件编号 TP65H050G4QS-TR Mouser 零件编号 227-TP65H050G4QS-TR	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TOLL 了解更多关于Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	650 V	34 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	119 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGBEA-TR Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP65H070G4LSGBEA-TR Mouser 零件编号 227-TP65H070G4LSGBEA 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况		PQFN-8			650 V										SuperGaN
GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGEA-TR Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP65H070G4LSGEA-TR Mouser 零件编号 227-TP65H070G4LSGEAT 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况		PQFN-8			650 V										SuperGaN
GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in TOLL TP65H070G4QS-TR Renesas Electronics 受限供货情况	制造商零件编号 TP65H070G4QS-TR Mouser 零件编号 227-TP65H070G4QS-TR	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 70mohm GaN FET in TOLL 了解更多关于Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H100G4LSGB-TR Renesas Electronics 受限供货情况	制造商零件编号 TP65H100G4LSGB-TR Mouser 零件编号 227-TP65H100G4LSGBTR	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	650 V	18.9 A	110 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.1 V	14.4 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP TP70H130G4PLSG-TR Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP70H130G4PLSG-TR Mouser 零件编号 227-TP70H130G4PLSGTR 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	700 V	16 A	163 mOhms	20 V	4.8 V	10.7 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 700V, 130mohm GaN FET in TO-220 TP70H130G4PPS Renesas Electronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 TP70H130G4PPS Mouser 零件编号 227-TP70H130G4PPS 新产品	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 700V, 130mohm GaN FET in TO-220 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	16 A	163 mOhms	20 V	4.8 V	10.7 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP70H150G4LSG-TR Renesas Electronics 受限供货情况	制造商零件编号 TP70H150G4LSG-TR Mouser 零件编号 227-TP70H150G4LSG-TR	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN 了解更多关于Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况					700 V										SuperGaN	GaN
GaN 场效应晶体管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP70H150G4LSGB-TR Renesas Electronics 受限供货情况	制造商零件编号 TP70H150G4LSGB-TR Mouser 零件编号 227-TP70H150G4LSGBTR	Renesas Electronics	GaN 场效应晶体管 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN 了解更多关于Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets 的信息 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况					700 V										SuperGaN	GaN

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