HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 720
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装

IXYS MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds
数据表
211库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 76 A 39 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 92 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A
数据表
298库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 32 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC + 150 C 1 kW HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 140A N-CH X3CLASS
数据表
105库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 127 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 180A
数据表
237库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 185 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
数据表
176库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 300 V 94 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 44A
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 180A 250V
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 180 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.39 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 34A N-CH X2CLASS
数据表
214库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 22A
数据表
269库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 58 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 200V/90A X3-Class HiPerFET
数据表
269库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 300V 52A
数据表
91库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247
数据表
584库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms 30 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247
数据表
551库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 69 mOhms 30 V 5.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
数据表
172库存量
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 16 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 250V 150A N-CH X3CLASS
数据表
59库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 150 A 9 mOhms - 10 V, 10 V 2.5 V 154 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET HiPERFET Id26 BVdass500
数据表
4,160库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 32A TO-264 Power MOSFET
数据表
255库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 80A
数据表
256库存量
420在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 45 A 72 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 300V 120A N-CH X3CLASS
数据表
2,472库存量
30预期 2026/2/23
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET
数据表
193库存量
120预期 2026/7/22
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 94 A 36 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 150V 400A N-CH 4CLASS
数据表
1,409库存量
375预期 2026/4/17
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 400 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 430 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
数据表
769库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 185 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 300V 26A N-CH X3CLASS
数据表
2,204库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 26 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
数据表
245库存量
700在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 210 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 268 nC - 55 C + 150 C 1.89 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds
数据表
381库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 44 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 305 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube