HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

结果: 724
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
IXYS MOSFET 5 Amps 1000V
数据表
319库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 5 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A
数据表
282库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 32 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC + 150 C 1 kW HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds
数据表
224库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/80A TO-247-4L
数据表
507库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 1KV 4A N-CH POLAR
数据表
407库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 2.1 A 3.3 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 150V 76A
数据表
278库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 97 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
数据表
286库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 500 V 26 A 240 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
数据表
238库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChHiPerFET-Polar3 TO-263D2
数据表
361库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 300 V 36 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 347 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
数据表
292库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 5.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 300V 38A N-CH X3CLASS
数据表
208库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 38 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
数据表
225库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 60 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
数据表
92库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET
数据表
294库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 40 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds
数据表
248库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 300 V 76 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 92 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 300V 52A
数据表
11库存量
300预期 2026/12/2
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
数据表
221库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 kV 5 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 6 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247
数据表
584库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms 30 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247
数据表
551库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 69 mOhms 30 V 5.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-220
数据表
600库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms 30 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds
数据表
546库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 44 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 305 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
数据表
3,225库存量
1,380预期 2026/7/20
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET HiPERFET Id26 BVdass500
数据表
3,045库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 30A
数据表
2,354库存量
1,530预期 2026/7/13
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
数据表
1,366库存量
3,780在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube