GaN HEMTs GaN 场效应晶体管

结果: 36
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
数据表
725库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 2 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
数据表
产品评论
30库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 50 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
数据表
产品评论
10库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 150 V 10 A 280 mOhms - 10 V, 2 V 41.6 W
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
数据表
17库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
数据表
产品评论
40库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 Amplifier, 240W, 3.1GHz, GaN HEMT, 28V
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440201 N-Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C 345 W
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
数据表
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无库存交货期 26 周
最低： 40
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 120 V 12 A 100 mOhms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
数据表
产品评论
无库存交货期 26 周
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 50 V 12.6 A
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
数据表
交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
数据表
交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C