|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,5W,28V,100-500MHz
MACOM UF2805B
- UF2805B
- MACOM
-
80:
¥1,712.7184
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
937-UF2805B
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,5W,28V,100-500MHz
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低： 80
倍数： 80
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,100W,28V,100-500MHz
MACOM UF28100M
- UF28100M
- MACOM
-
20:
¥4,598.5124
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
937-UF28100M
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,100W,28V,100-500MHz
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低： 20
倍数： 20
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,15W,28V,100-500MHz
MACOM UF2815B
- UF2815B
- MACOM
-
60:
¥1,741.3413
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
937-UF2815B
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,15W,28V,100-500MHz
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低： 60
倍数： 60
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,20W,28V,100-500MHz
MACOM UF2820P
- UF2820P
- MACOM
-
140:
¥994.2418
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
937-UF2820P
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,20W,28V,100-500MHz
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低： 140
倍数： 140
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200W, Si LDMOS, 28V, 700-22000MHz, Plastic SMT DFN
MACOM PTFA220041M-V4-R1K
- PTFA220041M-V4-R1K
- MACOM
-
1,000:
¥63.3591
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFA220041MV4R1K
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200W, Si LDMOS, 28V, 700-22000MHz, Plastic SMT DFN
|
|
无库存
|
|
最低： 1,000
倍数： 1,000
:
1,000
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
MACOM PTFB241402FC-V1-R250
- PTFB241402FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥795.6556
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFB241402FCR250
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
|
|
无库存
|
|
|
¥795.6556
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
MACOM PTFB241402FC-V1-R0
- PTFB241402FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥873.4674
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFB241402FCV1R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
|
|
无库存
|
|
|
¥873.4674
|
|
|
¥795.5652
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
STMicroelectronics RF3L05200CB4
- RF3L05200CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,288.6294
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF3L05200CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 100
倍数： 100
:
100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Through Hole
|
LBB-3
|
|
Si
|
945 MHz
|
200 W
|
|
|
16 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
STMicroelectronics RF3L05400CB4
- RF3L05400CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,064.9685
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF3L05400CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 100
倍数： 100
:
100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Through Hole
|
LBB-3
|
|
Si
|
500 MHz
|
380 W
|
|
|
17 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L08600CB4
- RF5L08600CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,479.1248
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF5L08600CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 100
倍数： 100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
STMicroelectronics STGWT30HP65FB
- STGWT30HP65FB
- STMicroelectronics
-
600:
¥17.289
-
无库存交货期 14 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-STGWT30HP65FB
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频(RF)双极晶体管 Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
|
|
无库存交货期 14 周
|
|
|
¥17.289
|
|
|
¥16.046
|
|
|
¥14.9725
|
|
最低： 600
倍数： 300
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Tube
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 TB100/TO-92/STANDARD MARKING *
WeEn Semiconductors TB100EP
- TB100EP
- WeEn Semiconductors
-
1:
¥6.6218
-
无库存交货期 28 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
771-TB100EP
NRND
|
WeEn Semiconductors
|
射频(RF)双极晶体管 TB100/TO-92/STANDARD MARKING *
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
|
¥6.6218
|
|
|
¥4.5539
|
|
|
¥2.8815
|
|
|
¥1.7854
|
|
|
查看
|
|
|
¥1.3108
|
|
|
¥1.1752
|
|
|
¥1.00118
|
|
|
¥0.77744
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 TB100/TO-92/STANDARD MARKING *
WeEn Semiconductors TB100ML
- TB100ML
- WeEn Semiconductors
-
10,000:
¥0.77744
-
无库存交货期 28 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
771-TB100ML
NRND
|
WeEn Semiconductors
|
射频(RF)双极晶体管 TB100/TO-92/STANDARD MARKING *
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低： 10,000
倍数： 10,000
:
10,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Ammo Pack
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 NPN 30Vcbo 15Vceo 3Vebo 50mA 200mW
- PN918 TIN/LEAD
- Central Semiconductor
-
5,000:
¥1.469
-
无库存交货期 6 周
|
Mouser 零件编号
610-PN918-TL
|
Central Semiconductor
|
射频(RF)双极晶体管 NPN 30Vcbo 15Vceo 3Vebo 50mA 200mW
|
|
无库存交货期 6 周
|
|
|
¥1.469
|
|
|
¥1.3786
|
|
最低： 5,000
倍数： 2,500
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Through Hole
|
TO-72-4
|
Bipolar
|
Si
|
|
|
- 65 C
|
+ 200 C
|
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230H
NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
- MRF6VP121KHR5
- NXP Semiconductors
-
1:
¥7,984.1619
-
无库存交货期 53 周
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-MRF6VP121KHR5
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230H
|
|
无库存交货期 53 周
|
|
|
¥7,984.1619
|
|
|
¥7,984.1619
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Screw Mount
|
NI-1230-4
|
|
Si
|
|
1 kW
|
|
+ 150 C
|
20 dB
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400MHz 28Volt 100W Gain 10dB
MACOM MRF175LU
- MRF175LU
- MACOM
-
无库存
-
工厂特别订单
|
Mouser 零件编号
937-MRF175LU
工厂特别订单
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400MHz 28Volt 100W Gain 10dB
|
|
无库存
|
|
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
333-4
|
|
Si
|
400 MHz
|
100 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
10 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管
MACOM PH3135-5S
- PH3135-5S
- MACOM
-
10:
¥3,291.1589
-
无库存
-
工厂特别订单
|
Mouser 零件编号
937-PH3135-5S
工厂特别订单
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管
|
|
无库存
|
|
最低： 10
倍数： 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
Bipolar Power
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 NPN RF 30Vcbo 30Vcer 15Vceo 25mA
- BFY90 TIN/LEAD
- Central Semiconductor
-
2,000:
¥37.7194
-
无库存
|
Mouser 零件编号
610-BFY90-TL
|
Central Semiconductor
|
射频(RF)双极晶体管 NPN RF 30Vcbo 30Vcer 15Vceo 25mA
|
|
无库存
|
|
最低： 2,000
倍数： 2,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Through Hole
|
TO-72-4
|
Bipolar
|
Si
|
1.1 GHz
|
|
- 65 C
|
+ 200 C
|
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247
- IXZR16N60
- ZiLOG
-
30:
¥231.9325
-
无库存
|
Mouser 零件编号
747-IXZR16N60
|
ZiLOG
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247
|
|
无库存
|
|
|
¥231.9325
|
|
|
¥204.8916
|
|
|
¥192.6424
|
|
最低： 30
倍数： 30
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
Si
|
|
350 W
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
|
|
Tube
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 For NESG270034-AZ
- NESG270034-EV09-AZ
- CEL
-
1:
¥1,730.6967
-
无库存
|
Mouser 零件编号
NESG270034-EV09-AZ
|
CEL
|
射频(RF)双极晶体管 For NESG270034-AZ
|
|
无库存
|
|
|
¥1,730.6967
|
|
|
¥1,376.5999
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
|
Bipolar
|
SiGe
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
- CE3521M4-C2
- CEL
-
15,000:
¥8.2716
-
无库存
|
Mouser 零件编号
551-CE3521M4-C2
|
CEL
|
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
|
|
无库存
|
|
最低： 15,000
倍数： 15,000
:
15,000
|
|
RF JFET Transistors
|
SMD/SMT
|
minimold-4
|
pHEMT
|
GaAs
|
20 GHz
|
|
- 55 C
|
+ 125 C
|
11.9 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
CEL NE5550979A-EV04-A
- NE5550979A-EV04-A
- CEL
-
1:
¥1,540.6533
-
N/A
|
Mouser 零件编号
551-NE5550979A-EV04A
|
CEL
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
|
|
N/A
|
|
|
¥1,540.6533
|
|
|
¥1,313.1165
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 60V 0.6A SOT-23
Comchip Technology MMBT2907A-HF
- MMBT2907A-HF
- Comchip Technology
-
1:
¥2.6442
-
无库存交货期 16 周
|
Mouser 零件编号
750-MMBT2907A-HF
|
Comchip Technology
|
射频(RF)双极晶体管 60V 0.6A SOT-23
|
|
无库存交货期 16 周
|
|
|
¥2.6442
|
|
|
¥1.5029
|
|
|
¥0.9266
|
|
|
¥0.66218
|
|
|
¥0.36386
|
|
|
查看
|
|
|
¥0.57856
|
|
|
¥0.33109
|
|
|
¥0.27346
|
|
|
¥0.25651
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
Bipolar Power
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD55008S-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥75.8456
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD55008S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥75.8456
|
|
|
¥69.6419
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 400
倍数： 50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10
|
|
Si
|
1 GHz
|
8 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
17 dB
|
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L36075CF2
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,304.6754
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF2L36075CF2
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥1,304.6754
|
|
|
¥1,002.2648
|
|
|
¥1,002.2648
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
120
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
B2-3
|
|
Si
|
3.5 GHz
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75 W
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+ 200 C
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12.5 dB
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Reel, Cut Tape, MouseReel
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