RF晶体管

结果: 918
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数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
晶体管类型
技术
工作频率
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
增益
资格
封装
STMicroelectronics SD2931-12MR
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIS
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 25

RF MOSFET Transistors Si Bulk
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3742N80D/PQFN-12X7/REEL
数据表
216库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 300

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-36 LDMOS 3.7 GHz to 4.2 GHz 48.5 dBm + 200 C 36 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY
数据表
106库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFETs Screw Mount SOT502A-3 LDMOS 2.7 GHz to 3.1 GHz 400 W + 225 C 13 dB Tray
Analog Devices / Maxim Integrated 射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
数据表

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOIC-8 Bipolar Power Si 900 MHz 1 W - 40 C + 85 C Tube
Analog Devices / Maxim Integrated 射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
数据表

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOIC-8 Bipolar Power Si 900 MHz 1 W - 40 C + 85 C Tube
Central Semiconductor CMUT5179 TR PBFREE
Central Semiconductor 射频(RF)双极晶体管 NPN RF
数据表
更多信息可用

RF Bipolar Transistors SMD/SMT Bipolar Si 100 MHz - 65 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Analog Devices / Maxim Integrated 射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
数据表

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOIC-Narrow-8 Bipolar Power Si 900 MHz - 40 C + 85 C Reel
Analog Devices / Maxim Integrated 射频(RF)双极晶体管 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
数据表

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOIC-8 Bipolar Power Si 900 MHz - 40 C + 85 C Reel
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit
数据表
RF MOSFETs Screw Mount Si 30 MHz - 55 C + 175 C
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
数据表
RF MOSFETs Screw Mount Si + 200 C 17 dB
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
数据表
RF MOSFETs Screw Mount Si + 200 C 17 dB
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150PEG/REEL
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT TO-270-2G-1-3 LDMOS 1 MHz to 650 MHz 150 W + 225 C 31.2 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150PE/REELDP
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT TO-270-2F-1-3 LDMOS 1 MHz to 650 MHz 150 W + 225 C 31.2 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6FHG/SOT1248/REEL
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1248C-5 LDMOS 1 MHz to 425 MHz 1.6 kW + 225 C 28 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6FHS/SOT539/TRAY
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT539BN-5 LDMOS 1 MHz to 425 MHz 1.6 kW + 225 C 28 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PHG/1/OMP-1230/REEL
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT LDMOS 1 MHz to 450 MHz 1.6 kW + 225 C 27.3 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PHG/1/OMP-1230/TRAY
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT LDMOS 1 MHz to 450 MHz 1.6 kW + 225 C 27.3 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PH/1/OMP-1230/REEL
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT LDMOS 1 MHz to 450 MHz 1.6 kW + 225 C 27.3 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PH/1/OMP-1230/TRAY
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT LDMOS 1 MHz to 450 MHz 1.6 kW + 225 C 27.3 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0FEG/SOT1248/REEL
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1248C-5 LDMOS 1 MHz to 400 MHz 2 kW + 225 C 28.4 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0FES/SOT539/TRAY
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT539BN-5 LDMOS 1 MHz to 400 MHz 2 kW + 225 C 28.4 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0PEG/OMP-1230/REEL
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT OMP-1230-4G-1-5 LDMOS 1 MHz to 450 MHz 2 kW + 225 C 27.7 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0PEG/OMP-1230/TRAY
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT OMP-1230-4G-1-5 LDMOS 1 MHz to 450 MHz 2 kW + 225 C 27.7 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0PE/OMP-1230/REEL
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT OMP-1230-4F-1-5 LDMOS 1 MHz to 450 MHz 2 kW + 225 C 27.7 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0PE/OMP-1230/TRAY
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT OMP-1230-4F-1-5 LDMOS 1 MHz to 450 MHz 2 kW + 225 C 27.7 dB Tray