RF晶体管

结果: 918
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数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
晶体管类型
技术
工作频率
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
增益
资格
封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-36 LDMOS 3.3 GHz to 3.8 GHz 49 dBm + 200 C 38 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3742N81D/PQFN-12x7/REELDP
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-36 LDMOS 3.7 GHz to 4.2 GHz 48.5 dBm + 200 C 36 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9G1011L-300G/SOT502/TRAY
数据表

RF MOSFETs Screw Mount SOT502F-3 LDMOS 1.03 GHz to 1.09 GHz 300 W + 225 C 19.5 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9G1011L-300/SOT502/TRAY
数据表

RF MOSFETs Screw Mount SOT502A-3 LDMOS 1.03 GHz to 1.09 GHz 300 W + 225 C 19.5 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9G1011LS-300G/SOT502/TRAY
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT502E-3 LDMOS 1.03 GHz to 1.09 GHz 300 W + 225 C 19.5 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9G1011LS-300/SOT502/TRAY
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 1.03 GHz to 1.09 GHz 300 W + 225 C 19.5 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY
数据表

RF MOSFETs Screw Mount SOT502F-3 LDMOS 960 MHz to 1.215 GHz 250 W + 225 C 22 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY
数据表

RF MOSFETs Screw Mount SOT502A-3 LDMOS 960 MHz to 1.215 GHz 250 W + 225 C 22 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY
数据表

RF MOSFETs Screw Mount SOT502F-3 LDMOS 960 MHz to 1.215 GHz 700 W + 225 C 20 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
数据表

RF MOSFETs Screw Mount SOT502A-3 LDMOS 960 MHz to 1.215 GHz 700 W + 225 C 20 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-1200PGJ/SOT539/TRAY
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1248C-5 LDMOS 960 MHz to 1.215 GHz 1.2 kW + 225 C 19 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-250/SOT502/TRAY
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 960 MHz to 1.215 GHz 250 W + 225 C 22 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-700G/SOT502/TRAY
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 960 MHz to 1.215 GHz 700 W + 225 C 20 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-1200P/SOT539/TRAY
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT539B-5 LDMOS 960 MHz to 1.215 GHz 1.2 kW + 225 C 19 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.452 GHz to 1.492 GHz 350 W - 40 C + 150 C 15 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 2.025 GHz 160 W + 225 C 15 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/TRAY
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.452 GHz to 1.492 GHz 350 W - 40 C + 150 C 15 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.427 GHz to 1.518 GHz 600 W - 40 C + 125 C 17.4 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 300 W - 40 C + 150 C 15.6 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 300 W - 40 C + 150 C 15.6 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-301AVT/SOT127/TRAYD
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 300 W - 40 C + 150 C 15.6 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-360AV/SOT1258/REELD
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 360 W - 40 C + 125 C 15.4 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-360AVT/SOT1258/TRAYD
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 360 W - 40 C + 125 C 15.4 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-400AVT/SOT1270/TRAY
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 400 W - 40 C + 125 C 15.7 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/TRAY
数据表

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 550 W - 40 C + 125 C 16.1 dB Tray