RF晶体管

结果: 919
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管类型 技术 工作频率 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 增益 资格 封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G22XS-603AVT/SOT1258/TRAYD

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.11 GHz to 2.17 GHz 600 W - 40 C + 125 C 15.4 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27LS-320AVT/SOT1258/REELD

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-1-7 LDMOS 2.5 GHz to 2.7 GHz 320 W + 225 C 15.4 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27LS-320AVT/SOT1258/TRAYD

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-1-7 LDMOS 2.5 GHz to 2.7 GHz 320 W + 225 C 15.4 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/TRAYDP

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.496 GHz to 2.69 GHz 400 W - 40 C + 125 C 13.3 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G27XS-551AVT/SOT1258/TRAY

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.62 GHz to 2.69 GHz 550 W - 40 C + 125 C 13 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS250/SOT1270/TRAYDP

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1270-1-3 LDMOS 2.4 GHz to 2.5 GHz 250 W + 225 C 14.4 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS500P/SOT1250/REELD

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1250-1-5 LDMOS 2.4 GHz to 2.5 GHz 500 W + 225 C 14.5 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9G21LS-60AV/SOT1275/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 2.2 GHz 60 W + 225 C 17.5 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9G21LS-60AV/SOT1275/TRAYDP

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 2.2 GHz 60 W + 225 C 17.5 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9G22LS-160VT/SOT1271/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1271-2-5 LDMOS 2.11 GHz to 2.2 GHz 160 W + 225 C 15 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9G22LS-160VT/SOT1271/TRAYDP

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1271-2-5 LDMOS 2.11 GHz to 2.2 GHz 160 W + 225 C 15 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-500A/PALLET/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1273-1-5 LDMOS 617 MHz to 960 MHz 500 W - 40 C + 125 C 18.9 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-500A/PALLET/TRAYDP

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1273-1-5 LDMOS 617 MHz to 960 MHz 500 W - 40 C + 125 C 18.9 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-505A/SOT1273/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1273-1-5 LDMOS 617 MHz to 960 MHz 500 W - 40 C + 150 C 18.2 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-505A/SOT1273/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1273-1-5 LDMOS 617 MHz to 960 MHz 500 W - 40 C + 150 C 18.2 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-505A/SOT1273/TRAYDP

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1273-1-5 LDMOS 617 MHz to 960 MHz 500 W - 40 C + 150 C 18.2 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-600A/SOT993/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1250-2-5 LDMOS 616 MHz to 960 MHz 600 W - 40 C + 125 C 17.5 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-600A/SOT993/TRAYDP

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1250-2-5 LDMOS 616 MHz to 960 MHz 600 W - 40 C + 125 C 17.5 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-606A/SOT1250/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1250-4-5 LDMOS 616 MHz to 960 MHz 600 W - 40 C + 150 C 18 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-606A/SOT1250/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1250-4-5 LDMOS 616 MHz to 960 MHz 600 W - 40 C + 150 C 18 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-606A/SOT1250/TRAYDP

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1250-4-5 LDMOS 616 MHz to 960 MHz 600 W - 40 C + 150 C 18 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-60P/SOT1273/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1273-1-5 LDMOS 400 MHz to 1 GHz 60 W - 40 C + 125 C 16.3 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC9H10XS-60P/SOT1273/TRAYDP

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1273-1-5 LDMOS 400 MHz to 1 GHz 60 W - 40 C + 125 C 16.3 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF0910H9LS600/SOT502/REEL

RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 915 MHz 600 W + 225 C 18.6 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY

RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 915 MHz 600 W + 225 C 18.6 dB Tray