RF晶体管

结果: 919
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管类型 技术 工作频率 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 增益 资格 封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF0910H9LS750P/SOT539/REEL

RF MOSFETs SMD/SMT SOT539B-5 LDMOS 915 MHz 750 W + 225 C 21.5 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF0910H9LS750P/SOT539/TRAY

RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 915 MHz 600 W + 225 C 21.5 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF13H9LS750P/SOT1483/TRAY

RF MOSFETs SMD/SMT SOT539B-5 LDMOS 1.3 GHz 750 W + 225 C 19 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF984PS/SOT1121/TRAY

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1121B-5 LDMOS 30 MHz to 860 MHz 450 W + 225 C 22.5 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF989ES/SOT539/TRAY

RF MOSFETs SMD/SMT SOT539BN-5 LDMOS 400 MHz to 860 MHz 1 kW + 225 C 20 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF989S/SOT1275/TRAY

RF MOSFETs SMD/SMT SOT539B-5 LDMOS 400 MHz to 860 MHz 900 W + 225 C 22.5 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF989/SOT1275/TRAY

RF MOSFETs Screw Mount SOT539A-5 LDMOS 400 MHz to 860 MHz 900 W + 225 C 22.5 dB Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-20 LDMOS 2.5 Hz to 2.7 Hz 45.7 dBm + 200 C 31.1 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-20 LDMOS 2.5 Hz to 2.7 Hz 45.7 dBm + 200 C 31.1 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM7G1822S-40PBG/SOT1212/REELD

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1212-3-16 LDMOS 1.805 GHz to 2.17 GHz 45.1 W + 150 C 33 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM8D1822S-50PBG/SOT1212/REELD

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1212-3-16 LDMOS 1.805 GHz to 2.17 GHz 48.4 dBm + 150 C 28.5 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D0708-05AM/LGA-7x7/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 728 MHz to 821 MHz 5 W + 125 C 17.8 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D0910-05AM/LGA-7x7/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 859 MHz to 960 MHz 5 W + 125 C 21 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D1819-08AM/LGA-7x7/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 1.805 GHz to 1.88 GHz 8 W + 125 C 30 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-20 LDMOS 1.8 GHz to 2.2 GHz 45.9 dBm + 200 C 31.3 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D1920-08AM/LGA-7x7/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 1.88 GHz to 2.025 GHz 39.6 dBm + 125 C 26.8 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2022-08AM/LGA-7x7/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 2.11 GHz to 2.17 GHz 39.2 dBm + 125 C 29 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2324-08AM/LGA-7x7/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 2.3 GHz to 2.4 GHz 40 dBm + 125 C 29 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-20 LDMOS 2.3 GHz to 2.7 GHz 44.8 dBm + 200 C 31.3 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2527-09AM/LGA-7x7/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 2.496 GHz to 2.7 GHz 40 dBm + 125 C 28 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2527-09AM/LGA-7x7/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 2.496 GHz to 2.7 GHz 40 dBm + 125 C 28 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D3336-12AM/LGA-7x7/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 3.3 GHz to 3.65 GHz 40.9 dBm + 125 C 35.5 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D3336-14AM/LGA-7x7/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 3.3 GHz to 3.65 GHz 41.5 dBm + 125 C 31 dB Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D3438-16AM/LGA-7x7/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 3.4 GHz to 3.8 GHz 42 dBm + 125 C 29.5 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D3538-12AM/LGA-7x7/REELDP

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 3.4 GHz to 3.8 GHz 40 dBm + 125 C 36 dB Reel