射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 684
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART700FH/SOT1214/TRAY 90库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 55 V 171 mOhms 1 MHz to 450 MHz 28.6 dB 700 W + 225 C Screw Mount SOT1214A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP 313库存量
最低: 1
倍数: 1
: 300

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 33.5 dB 49.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY 125库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 19 dB 1.2 kW + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD 105库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 65 V 45.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.5 dB 500 W + 225 C SMD/SMT SOT1250-1-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF647P/SOT1121/TRAY 183库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 100 mA 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 18 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT-1121A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF974P/SOT539/TRAY 143库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 700 MHz 25.7 dB 500 W + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY 115库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 65 V 26 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 19 dB 600 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY 60库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel GaN Si 50 V 240 mOhms 0 Hz to 3.5 GHz 15 dB 100 W + 300 C SMD/SMT SOT467B-3 Tray

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source 85库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 14 A 500 V 65 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source 400库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 9 A 500 V 100 MHz 15 dB 100 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A 19库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 10 A 500 V 150 MHz 15 dB 900 W - 55 C + 175 C Screw Mount
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177 23库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 42 A 180 V 30 MHz 25 dB 300 W - 65 C + 150 C Screw Mount
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS Transistor 111库存量
250预期 2026/6/22
最低: 1
倍数: 1
: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 25.1 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power 6,000库存量
4,000预期 2026/6/25
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

N-Channel Si 3 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 15 dB 8 W - 40 C + 150 C SMD/SMT DFN-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V 24,223库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

N-Channel Si 4 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 20.9 dB 4.9 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT-89-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V 65库存量
最低: 1
倍数: 1
: 50

N-Channel Si 36 A 135 V 1.8 MHz to 500 MHz 23.7 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT NI-1230H-4S Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 282库存量
最低: 1
倍数: 1
: 50

N-Channel Si 130 V 1.8 MHz to 600 MHz 26.5 dB 300 W + 150 C Screw Mount NI-780-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177 10库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 50 A 180 V 30 MHz 25 dB 400 W - 65 C + 150 C Screw Mount
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan 2,669库存量
3,000预期 2026/7/6
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerFLAT (5x5) Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. 394库存量
最低: 1
倍数: 1
: 600

N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. 605库存量
最低: 1
倍数: 1
: 600

N-Channel Si 4 A 40 V 1 GHz 17 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 70库存量
400预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 7 A 40 V 1 GHz 14.5 dB 25 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor 112库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 7 A 40 V 1 GHz 14.5 dB 25 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans 501库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 8 A 40 V 870 MHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 165 C SMD/SMT PowerSO-12 Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz 30库存量
550预期 2026/7/13
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 20 A 125 V 230 MHz 15 dB 150 W + 150 C SMD/SMT M174 Bulk