射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 684
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz 48库存量
90预期 2027/4/23
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 40 A 130 V 175 MHz 15 dB 350 W + 200 C Screw Mount Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch 110库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 40 A 130 V 250 MHz 21 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC244B Bulk


MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet 22库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 16 A 65 V 150 MHz 15 dB 150 W + 200 C Screw Mount
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB 53库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 4 A 65 V 500 MHz 13.5 dB 20 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 319-07 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB 16库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 26 A 65 V 100 MHz to 500 MHz 11.2 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 375-04 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6FH/SOT539/TRAY 22库存量
120预期 2026/9/21
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C Screw Mount SOT539AN-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY 44库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT502E-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY 37库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT502E-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M9LS250/SOT1270/TRAYDP 65库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 65 V 52.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT1270-1-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF13H9L750P/SOT1483/TRAY 29库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 1.3 GHz 19 dB 750 W + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF647PS/SOT1121/TRAY 43库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 100 mA 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 17.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT1121B-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF978P/SOT539/TRAY 63库存量
60预期 2026/9/21
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 54 mOhms 700 MHz 24.5 dB 1.2 kW + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF984P/SOT1121/TRAY 79库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 180 mOhms 30 MHz to 860 MHz 22.5 dB 450 W + 225 C Screw Mount SOT1121A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF989E/SOT539/TRAY 36库存量
最低: 1
倍数: 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms, 90 mOhms 400 MHz to 860 MHz 20 dB 1 kW + 225 C Screw Mount SOT539AN-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP 769库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

LDMOS 65 V 3.4 GHz to 3.8 GHz 35.4 dB 45.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-Stage Power MMIC 72库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

LDMOS 32 V 350 mOhms, 2.35 Ohms 2.4 GHz to 2.5 GHz 27.5 dB 60 W + 150 C SMD/SMT SOT1211-3-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM2425M9S20/OMP-400/TRAYDP 交货期 16 周
最低: 1
倍数: 1

LDMOS 65 V 350 mOhms, 2.35 Ohms 2.4 GHz to 2.5 GHz 28 dB 20 W + 150 C SMD/SMT OMP-400-8F-1-8 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP 90库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 29.5 dB 44 dBm + 150 C SMD/SMT OMP-780-16G-1-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9H0610S-60PG/OMP-780/REELDP 205库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

LDMOS 48 V 600 MHz to 1 GHz 35.5 dB 45.3 dBm + 125 C SMD/SMT OMP-780-16G-1-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0408H9S30/TO270/REEL 90库存量
100预期 2026/9/15
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 50 V 1.2 Ohms 400 MHz to 860 MHz 20.2 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0427M9S20/TO270/REEL 100库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 500 mOhms 400 MHz to 2.7 GHz 19 dB 20 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP05H9S500P/OMP-780/REELDP 111库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 50 V 120 mOhms 423 MHz to 443 MHz 25.2 dB 500 W + 225 C SMD/SMT OMP-780-4F-1-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100/TO270/REEL 233库存量
最低: 1
倍数: 1
: 100

N-Channel LDMOS 50 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100/TO270/REEL 606库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel LDMOS 50 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S10G/TO270/REEL 809库存量
最低: 1
倍数: 1
: 500

N-Channel LDMOS 50 V 3.2 Ohms 2 GHz 21 dB 10 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel