射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 684
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS
数据表
70库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 13 A 65 V 200 MHz 9 dB 125 W - 65 C + 200 C Screw Mount 211-07
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
数据表
207库存量
最低： 1
倍数： 1
: 250

N-Channel Si 105 V 720 MHz to 960 MHz 19.2 dB 100 W - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-780-4 Reel, Cut Tape
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0427M9S20G/TO270/REEL
数据表
52库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

N-Channel LDMOS 65 V 500 mOhms 400 MHz to 2.7 GHz 19 dB 20 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15M9S30G/TO270/REEL
数据表
34库存量
100预期 2026/7/21
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 100

N-Channel LDMOS 32 V 30 mOhms 2 GHz 19 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
数据表
38库存量
最低： 1
倍数： 1
: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape


MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz
数据表
17库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 4 A 65 V 30 MHz to 90 MHz 13 dB 8 W + 200 C Screw Mount
Microchip Technology ARF465AG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
数据表
273库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 6 A 1.2 kV 60 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
Toshiba 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
数据表
426库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

N-Channel Si 3 A 12 V 470 MHz 11.5 dB 36.5 dBm + 150 C SMD/SMT PW-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
100库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 150 mA to 190 mA 7.5 V 28 GHz 12 dB 28 dBm + 150 C Die Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
数据表
90库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 250

N-Channel Si 65 V 80 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 13.5 dB 400 W + 225 C Screw Mount HB2SOF-8-1 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology ARF468AG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
数据表
1库存量
30预期 2026/7/20
最低： 1
倍数： 1

Si Tube
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
100库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 180 mA to 220 mA 7.5 V 26 GHz 13 dB 28 dBm + 150 C Die Bulk


MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 24 A 65 V 175 MHz 13 dB 20 W + 200 C Screw Mount
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices
数据表
50库存量
最低： 10
倍数： 10
: 10
GaAs 120 mA 4 V 26 GHz 10 dB, 13 dB 16 dBm + 150 C Die Reel
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices
数据表
100库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 175 mA 4.5 V 26 GHz 8 dB, 11 dB 20 dBm + 150 C Die Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
数据表
110库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 4 A 25 V 1 GHz 12 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMIC AMPLIFIER
数据表
748库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

N-Channel Si 15 mA 3 V 45 MHz to 6 GHz 20.9 dB 20 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT MCLP-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology ARF465BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
数据表
21库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 6 A 1.2 kV 60 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
CML Micro MWT-PH27F71
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1
: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 16 dB 25 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
MACOM DU2810S
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz
数据表
11库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 2.8 A 65 V 175 MHz 13 dB 10 W + 200 C Screw Mount
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
110库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 120

N-Channel Si 2.5 A 110 V 1 Ohms 1 GHz 19 dB 400 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF981S/SOT467/TRAY
数据表
55库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel LDMOS 1.4 uA 108 V 24 dB 170 W + 225 C SMD/SMT SOT-467B-2 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF981/SOT467/TRAY
数据表
31库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel LDMOS 1.4 uA 108 V 24 dB 170 W + 225 C SMD/SMT SOT-467C-2 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP981/TO270/REEL
数据表
45库存量
最低： 1
倍数： 1
: 100

N-Channel LDMOS 1.4 uA 108 V 23.8 dB 170 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1 Reel, Cut Tape
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY
数据表
118库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel GaN SiC 50 V 2.4 GHz to 2.5 GHz 16 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT1214B-5 Tray