射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Microchip Technology VRF161MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174 MATCHED PAIR 无库存交货期 22 周
最低: 10
倍数: 1

N-Channel Si 20 A 180 V 150 MHz 24 dB 200 W - 65 C + 150 C Screw Mount
Microchip Technology VRF2944MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR 无库存交货期 30 周
最低: 10
倍数: 1

Si
STMicroelectronics RF2L24280CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 280 W, 28 V, 2.4 to 2.5 GHz RF Power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
最低: 100
倍数: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF4L10700CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
最低: 100
倍数: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF4L15400CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 28/32 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
最低: 100
倍数: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF5L0912750CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 960 to 1215 MHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
最低: 100
倍数: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF5L10111K0CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
最低: 100
倍数: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF5L1214750CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
最低: 100
倍数: 100

Si Tray
STMicroelectronics RF5L15030CB2
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 52 周
最低: 180
倍数: 180
: 180

Si Reel
STMicroelectronics SD2931-15W
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PTD NEW MAT & PWR SOLUTION 无库存交货期 28 周
最低: 1
倍数: 1

Si Bulk
STMicroelectronics SD2933-03W
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz 无库存交货期 28 周
最低: 50
倍数: 50

Si Bulk
STMicroelectronics STAC1011-500
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500 W, 50 V, 700 to 1200 MHz RF power LDMOS transistor 无库存交货期 28 周
最低: 80
倍数: 80

Si Bulk
Microchip Technology DRF1311
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 1000 V 2000 W 30 MHz T4 无库存交货期 26 周
最低: 1
倍数: 1

Si Bulk
Microchip Technology VRF152G
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 130 V 150 W 175 MHz M208 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

Si
Microchip Technology VRF152GMP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 130 V 150 W 175 MHz M208 MATCHED PAIR 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

Si
NXP Semiconductors AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MP075N-54M 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
N-Channel Si 8 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 18.5 dB 70 W - 40 C + 150 C SMD/SMT
NXP Semiconductors AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS004-200M 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
N-Channel Si 4 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 20.9 dB 4.9 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT-89-3
NXP Semiconductors AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT27S006N-1000M 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
N-Channel Si 65 V 728 MHz to 3.7 GHz 16 dB 28.8 dBm - 40 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5W
MACOM DU1215S
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,15W,12V,2-175MHz 无库存交货期 22 周
最低: 100
倍数: 100

Si
MACOM DU2805S
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,5W,28V,2-175 MHz 无库存交货期 28 周
最低: 120
倍数: 120

Si
MACOM DU28200M
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,200W,28V,2-175MHz 无库存交货期 26 周
最低: 20
倍数: 20

N-Channel Si 20 A 65 V 175 MHz 13 dB 200 W + 200 C Screw Mount
MACOM DU2840S
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,40W,28V,2-175MHz 无库存交货期 26 周
最低: 120
倍数: 120

Si
MACOM DU2880T
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,80W,28V,2-175MHz 无库存交货期 26 周
最低: 60
倍数: 60

Si
MACOM DU2880U
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,RF,80W,28V,2-175_MHz 无库存交货期 26 周
最低: 60
倍数: 60
Si
MACOM LF2805A
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,5W,28V,500-1000_MHz 无库存交货期 26 周
最低: 80
倍数: 80

Si