|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,<400MHz,28V,30W,Mos
MACOM MRF136Y
- MRF136Y
- MACOM
-
1:
¥1,229.1575
-
无库存交货期 36 周
|
Mouser 零件编号
937-MRF136Y
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,<400MHz,28V,30W,Mos
|
|
无库存交货期 36 周
|
|
|
¥1,229.1575
|
|
|
¥1,027.17
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,175MHz,28V,150W
MACOM MRF141
- MRF141
- MACOM
-
1:
¥2,710.7683
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
937-MRF141
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,175MHz,28V,150W
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
|
¥2,710.7683
|
|
|
¥2,229.1962
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,<80MHz,50V,600W
MACOM MRF154
- MRF154
- MACOM
-
10:
¥9,347.0775
-
无库存交货期 36 周
|
Mouser 零件编号
937-MRF154
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,<80MHz,50V,600W
|
|
无库存交货期 36 周
|
|
最低： 10
倍数： 10
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
60 A
|
125 V
|
|
80 MHz
|
17 dB
|
600 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
|
368-3
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,600W,80MHz,50v,Matched Pair
MACOM MRF157MP
- MRF157MP
- MACOM
-
5:
¥19,568.6168
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
937-MRF157MP
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,600W,80MHz,50v,Matched Pair
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低： 5
倍数： 5
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,200W,<225MHz,28V
MACOM MRF175GV
- MRF175GV
- MACOM
-
50:
¥2,183.951
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
937-MRF175GV
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,200W,<225MHz,28V
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
10
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,200W,<225MHz,50V
MACOM MRF176GU
- MRF176GU
- MACOM
-
1:
¥2,473.2084
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
937-MRF176GU
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,200W,<225MHz,50V
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
|
¥2,473.2084
|
|
|
¥2,088.4095
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150W,<500MHz,50V
MACOM MRF176GV
- MRF176GV
- MACOM
-
50:
¥1,871.4495
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
937-MRF176GV
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150W,<500MHz,50V
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低： 50
倍数： 50
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,5W,28V,100-500MHz
MACOM UF2805B
- UF2805B
- MACOM
-
80:
¥1,712.7184
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
937-UF2805B
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,5W,28V,100-500MHz
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低： 80
倍数： 80
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,100W,28V,100-500MHz
MACOM UF28100M
- UF28100M
- MACOM
-
20:
¥4,598.5124
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
937-UF28100M
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,100W,28V,100-500MHz
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低： 20
倍数： 20
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,15W,28V,100-500MHz
MACOM UF2815B
- UF2815B
- MACOM
-
60:
¥1,741.3413
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
937-UF2815B
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,15W,28V,100-500MHz
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低： 60
倍数： 60
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,20W,28V,100-500MHz
MACOM UF2820P
- UF2820P
- MACOM
-
140:
¥994.2418
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
937-UF2820P
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,20W,28V,100-500MHz
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低： 140
倍数： 140
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200W, Si LDMOS, 28V, 700-22000MHz, Plastic SMT DFN
MACOM PTFA220041M-V4-R1K
- PTFA220041M-V4-R1K
- MACOM
-
1,000:
¥63.3591
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFA220041MV4R1K
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200W, Si LDMOS, 28V, 700-22000MHz, Plastic SMT DFN
|
|
无库存
|
|
最低： 1,000
倍数： 1,000
:
1,000
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
MACOM PTFB241402FC-V1-R250
- PTFB241402FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥795.6556
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFB241402FCR250
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
|
|
无库存
|
|
|
¥795.6556
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
MACOM PTFB241402FC-V1-R0
- PTFB241402FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥873.4674
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFB241402FCV1R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP
|
|
无库存
|
|
|
¥873.4674
|
|
|
¥795.5652
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
STMicroelectronics RF3L05200CB4
- RF3L05200CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,288.6294
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF3L05200CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 100
倍数： 100
:
100
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
28 V
|
|
945 MHz
|
16 dB
|
200 W
|
|
|
Through Hole
|
LBB-3
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
STMicroelectronics RF3L05400CB4
- RF3L05400CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,064.9685
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF3L05400CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 100
倍数： 100
:
100
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
28 V
|
|
500 MHz
|
17 dB
|
380 W
|
|
|
Through Hole
|
LBB-3
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L08600CB4
- RF5L08600CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,479.1248
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF5L08600CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 100
倍数： 100
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230H
NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
- MRF6VP121KHR5
- NXP Semiconductors
-
1:
¥7,984.1619
-
无库存交货期 53 周
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
841-MRF6VP121KHR5
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230H
|
|
无库存交货期 53 周
|
|
|
¥7,984.1619
|
|
|
¥7,984.1619
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
110 V
|
|
|
20 dB
|
1 kW
|
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
NI-1230-4
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400MHz 28Volt 100W Gain 10dB
MACOM MRF175LU
- MRF175LU
- MACOM
-
无库存交货期 28 周
-
工厂特别订单
|
Mouser 零件编号
937-MRF175LU
工厂特别订单
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400MHz 28Volt 100W Gain 10dB
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
13 A
|
65 V
|
|
400 MHz
|
10 dB
|
100 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
|
333-4
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247
- IXZR16N60
- ZiLOG
-
30:
¥231.9325
-
无库存
|
Mouser 零件编号
747-IXZR16N60
|
ZiLOG
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247
|
|
无库存
|
|
|
¥231.9325
|
|
|
¥204.8916
|
|
|
¥192.6424
|
|
最低： 30
倍数： 30
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
18 A
|
600 V
|
530 mOhms
|
|
|
350 W
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
CEL NE5550979A-EV04-A
- NE5550979A-EV04-A
- CEL
-
1:
¥1,540.6533
-
N/A
|
Mouser 零件编号
551-NE5550979A-EV04A
|
CEL
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
|
|
N/A
|
|
|
¥1,540.6533
|
|
|
¥1,313.1165
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD55008S-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥75.8456
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD55008S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥75.8456
|
|
|
¥69.6419
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 400
倍数： 400
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
4 A
|
40 V
|
|
1 GHz
|
17 dB
|
8 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L36075CF2
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,304.6754
-
无库存交货期 52 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF2L36075CF2
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
|
¥1,304.6754
|
|
|
¥1,002.2648
|
|
|
¥1,002.2648
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
120
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2.5 A
|
60 V
|
1 Ohms
|
3.5 GHz
|
12.5 dB
|
75 W
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
B2-3
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIS
STMicroelectronics SD2931-12MR
- SD2931-12MR
- STMicroelectronics
-
50:
¥647.4222
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-SD2931-12MR
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIS
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低： 50
倍数： 50
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3742N80D/PQFN-12X7/REEL
- B11G3742N81DYZ
- Ampleon
-
1:
¥622.0198
-
无库存交货期 13 周
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-B11G3742N81DYZ
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G3742N80D/PQFN-12X7/REEL
|
|
无库存交货期 13 周
|
|
|
¥622.0198
|
|
|
¥540.3886
|
|
|
¥504.2399
|
|
|
¥486.9509
|
|
|
¥452.1243
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
300
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
|
3.7 GHz to 4.2 GHz
|
36 dB
|
48.5 dBm
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
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QFN-36
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Reel, Cut Tape, MouseReel
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