射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 679
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY
106库存量
最低: 1
倍数: 1

N-Channel LDMOS 65 V 30 mOhms 2.7 GHz to 3.1 GHz 13 dB 400 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit
N-Channel Si 30 A 500 V 330 mOhms 30 MHz - 55 C + 175 C Screw Mount
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
N-Channel Si 75 A 180 V 17 dB + 200 C Screw Mount
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
N-Channel Si 75 A 180 V 17 dB + 200 C Screw Mount
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150PEG/REEL

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150PE/REELDP

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6FHG/SOT1248/REEL

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6FHS/SOT539/TRAY

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PHG/1/OMP-1230/REEL

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PHG/1/OMP-1230/TRAY

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PH/1/OMP-1230/REEL

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART1K6PH/1/OMP-1230/TRAY

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0FEG/SOT1248/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0FES/SOT539/TRAY

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0PEG/OMP-1230/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4G-1-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0PEG/OMP-1230/TRAY

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4G-1-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0PE/OMP-1230/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4F-1-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0PE/OMP-1230/TRAY

Dual N-Channel LDMOS 65 V 106 mOhms 1 MHz to 450 MHz 27.7 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-4F-1-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0TFE/ACC-1230/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 107 mOhms 1 MHz to 400 MHz 29 dB 2 kW + 225 C Screw Mount ACC-1230-6F-3-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K0TFES/ACC-1230/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 107 mOhms 1 MHz to 400 MHz 29 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT ACC-1230-6F-2-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K5TFUG/ACC-1230-6G/T&R

Dual N-Channel LDMOS 75 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 29.8 dB 2.5 kW + 225 C SMD/SMT ACC-1230-6G-2-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K5TFUS/ACC-1230-6F/T&R

Dual N-Channel LDMOS 75 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 29.8 dB 2.5 kW + 225 C SMD/SMT ACC-1230-6F-2-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART2K5TPU/OMP-1230-6F/T&R

Dual N-Channel LDMOS 75 V 106 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28..5 dB 2.5 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-6F-2-7 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART700FHG/SOT1214/REEL

Dual N-Channel LDMOS 55 V 171 mOhms 1 MHz to 450 MHz 28.6 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT1214C-5 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART800PE/OMP780/REEL

Dual N-Channel LDMOS 65 V 200 mOhms 1 MHz to 650 MHz 29.2 dB 800 W + 225 C SMD/SMT OMP-780-4F-1-5 Reel