|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D1822S-60PBG/OMP-78/REELDP
- BLM9D1822S-60PBGY
- Ampleon
-
1:
¥499.686
-
200预期 2026/11/26
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLM9D1822S-60PBGY
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D1822S-60PBG/OMP-78/REELDP
|
|
200预期 2026/11/26
|
|
|
¥499.686
|
|
|
¥434.0895
|
|
|
¥405.0598
|
|
|
¥381.2394
|
|
|
¥368.0862
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
|
|
LDMOS
|
|
65 V
|
|
1.8 GHz to 2.2 GHz
|
28.3 dB
|
45.4 dBm
|
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
OMP-780-16G-1-16
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100G/TO270/REEL
- BLP15H9S100GZ
- Ampleon
-
1:
¥226.3955
-
500预期 2026/9/21
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLP15H9S100GZ
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S100G/TO270/REEL
|
|
500预期 2026/9/21
|
|
|
¥226.3955
|
|
|
¥182.3933
|
|
|
¥171.3871
|
|
|
¥164.6862
|
|
|
¥159.556
|
|
|
¥154.7648
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
500
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
50 V
|
30 mOhms
|
2 GHz
|
19 dB
|
100 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2G-1-3
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30/TO270/REEL
- BLP15H9S30XY
- Ampleon
-
1:
¥213.3214
-
200在途量
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLP15H9S30XY
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30/TO270/REEL
|
|
200在途量
在途量:
100 预期 2026/9/9
100 预期 2026/10/5
|
|
|
¥213.3214
|
|
|
¥170.8108
|
|
|
¥158.4034
|
|
|
¥140.6963
|
|
|
¥133.5886
|
|
|
¥131.6789
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
50 V
|
890 mOhms
|
2 GHz
|
22 dB
|
30 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2F-1-3
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY
- BLS9G3135L-115U
- Ampleon
-
1:
¥1,256.1306
-
18预期 2026/8/27
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLS9G3135L-115U
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY
|
|
18预期 2026/8/27
|
|
|
¥1,256.1306
|
|
|
¥1,025.7575
|
|
|
¥994.9085
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
120 mOhms
|
3.1 GHz to 3.5 GHz
|
14 dB
|
115 W
|
|
+ 225 C
|
Screw Mount
|
SOT1135A-3
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174 MATCHED PAIR
- VRF151MP
- Microchip Technology
-
1:
¥1,182.5111
-
10预期 2026/7/3
|
Mouser 零件编号
494-VRF151MP
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174 MATCHED PAIR
|
|
10预期 2026/7/3
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
16 A
|
180 V
|
|
175 MHz
|
22 dB
|
150 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
- MHT1803A
- NXP Semiconductors
-
1:
¥339.4181
-
239预期 2026/10/1
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
771-MHT1803A
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
|
|
239预期 2026/10/1
|
|
|
¥339.4181
|
|
|
¥276.1946
|
|
|
¥257.7756
|
|
|
¥234.1586
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
|
|
1.8 MHz to 50 MHz
|
28.2 dB
|
330 W
|
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF101BN
- NXP Semiconductors
-
1:
¥339.3277
-
249预期 2026/6/24
-
寿命结束
|
Mouser 零件编号
771-MRF101BN
寿命结束
|
NXP Semiconductors
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
249预期 2026/6/24
|
|
|
¥339.3277
|
|
|
¥276.1042
|
|
|
¥270.0248
|
|
|
¥250.747
|
|
|
查看
|
|
|
¥242.9274
|
|
|
¥234.6784
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
否
|
|
N-Channel
|
Si
|
8.8 A
|
133 V
|
|
1.8 MHz to 250 MHz
|
21.1 dB
|
115 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
- MWT-PH8F71
- CML Micro
-
1:
¥1,188.7374
-
10预期 2026/6/30
|
Mouser 零件编号
938-MWT-PH8F71
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
|
|
10预期 2026/6/30
|
|
|
¥1,188.7374
|
|
|
¥1,188.7374
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
10
|
|
|
N-Channel
|
GaAs
|
|
|
|
18 GHz
|
12 dB
|
30 dBm
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174
Microchip Technology VRF141
- VRF141
- Microchip Technology
-
1:
¥579.3397
-
11预期 2026/6/25
|
Mouser 零件编号
494-VRF141
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174
|
|
11预期 2026/6/25
|
|
|
¥579.3397
|
|
|
¥490.1714
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
20 A
|
80 V
|
|
175 MHz
|
22 dB
|
150 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA102001EA-V1-R0
- MACOM
-
1:
¥3,070.8202
-
无库存交货期 7 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTVA102001EA1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存交货期 7 周
|
|
|
¥3,070.8202
|
|
|
¥2,593.1353
|
|
|
¥2,593.1353
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
10 mA
|
105 V
|
340 mOhms
|
960 MHz to 1.6 GHz
|
18.5 dB
|
200 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
H-36265-2
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTVA127002EV-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥8,712.7972
-
无库存交货期 12 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTVA127002EV1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存交货期 12 周
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
105 V
|
100 mOhms
|
1.2 GHz to 1.4 GHz
|
16 dB
|
700 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
H-36275-4
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMIC AMPLIFIER
- TAV1-541+
- Mini-Circuits
-
1:
¥118.1189
-
交货期 22 周
|
Mouser 零件编号
139-TAV1-541+
|
Mini-Circuits
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMIC AMPLIFIER
|
|
交货期 22 周
|
|
|
¥118.1189
|
|
|
¥17.2099
|
|
|
¥16.7127
|
|
|
¥16.3737
|
|
|
¥15.7183
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
500
|
|
|
N-Channel
|
GaAs
|
120 mA
|
3 V
|
|
45 MHz to 6 GHz
|
18.6 dB
|
20.7 dBm
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
MCLP-4
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1
- ARF1500
- Microchip Technology
-
1:
¥2,570.4788
-
无库存
|
Mouser 零件编号
494-ARF1500
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1
|
|
无库存
|
|
|
¥2,570.4788
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
60 A
|
500 V
|
|
40 MHz
|
17 dB
|
750 W
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
- ARF466AG
- Microchip Technology
-
25:
¥541.7898
-
无库存
|
Mouser 零件编号
494-ARF466AG
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
|
|
无库存
|
|
最低： 25
倍数： 1
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
- ARF466BG
- Microchip Technology
-
25:
¥541.7898
-
无库存
|
Mouser 零件编号
494-ARF466BG
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
|
|
无库存
|
|
|
¥541.7898
|
|
|
¥479.007
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 25
倍数： 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
13 A
|
1 kV
|
1 Ohms
|
45 MHz
|
16 dB
|
300 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz T3
- ARF466FL
- Microchip Technology
-
10:
¥1,230.7282
-
无库存
|
Mouser 零件编号
494-ARF466FL
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz T3
|
|
无库存
|
|
最低： 10
倍数： 1
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C
- ARF477FL
- Microchip Technology
-
10:
¥1,263.0688
-
无库存
|
Mouser 零件编号
494-ARF477FL
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C
|
|
无库存
|
|
最低： 10
倍数： 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
15 A
|
500 V
|
|
100 MHz
|
16 dB
|
400 W
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208
- VRF151G
- Microchip Technology
-
1:
¥1,444.0609
-
无库存
|
Mouser 零件编号
494-VRF151G
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208
|
|
无库存
|
|
|
¥1,444.0609
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
36 A
|
170 V
|
|
175 MHz
|
16 dB
|
300 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
SOE-4
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
- VRF152
- Microchip Technology
-
1:
¥870.0096
-
交货期 24 周
|
Mouser 零件编号
494-VRF152
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
|
|
交货期 24 周
|
|
|
¥870.0096
|
|
|
¥736.2515
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
20 A
|
130 V
|
|
175 MHz
|
22 dB
|
150 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
- PD54008TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥81.8911
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD54008TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥81.8911
|
|
|
¥77.5067
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
5 A
|
25 V
|
|
1 GHz
|
11.5 dB
|
8 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD55015STR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥86.6032
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD55015STR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥86.6032
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
5 A
|
40 V
|
|
1 GHz
|
14 dB
|
15 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
- PD55025TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥181.8057
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD55025TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
7 A
|
12.5 V
|
|
500 MHz
|
14.5 dB
|
25 W
|
|
+ 165 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-2
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD57018STR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥187.6817
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57018STR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥187.6817
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2.5 A
|
65 V
|
760 mOhms
|
1 GHz
|
16.5 dB
|
18 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD57018TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥188.5066
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57018TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2.5 A
|
65 V
|
760 mOhms
|
1 GHz
|
16.5 dB
|
18 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD57030S-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥294.8848
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57030S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 400
倍数： 400
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
4 A
|
65 V
|
|
1 GHz
|
14 dB
|
30 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Tube
|
|
