射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 627
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 13 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M243-3 Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 13 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M250 Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M250 Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
数据表
无库存
最低： 120
倍数： 120
卷轴: 120

N-Channel Si 90 V 945 MHz 13.4 dB 250 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 300
卷轴: 300

N-Channel Si 90 V 930 MHz 21 dB 12 W + 200 C SMD/SMT MM-2 Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

N-Channel Si 9 A 90 V 1.5 GHz + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 80
倍数： 80

N-Channel Si 20 A 250 V 250 MHz 24.6 dB 580 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC-244B Bulk
Toshiba 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
数据表
无库存
最低： 1,000
倍数： 1,000
卷轴: 1,000

N-Channel Si 3 A 10 V 470 MHz 13.5 dB 2.2 W SMD/SMT PW-X-4 Reel
Toshiba 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

N-Channel Si 100 mA 20 V 520 MHz 13 dB 200 mW SMD/SMT SOT-343-4 Reel
Toshiba 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
数据表
无库存
最低： 1,000
倍数： 1,000
卷轴: 1,000

N-Channel Si 4 A 20 V 520 MHz 10.8 dB 12 W SMD/SMT PW-X-4 Reel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V 无库存交货期 14 周
最低： 240
倍数： 240
N-Channel Si 1.8 MHz to 50 MHz 28.2 dB 330 W + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 20
倍数： 20

N-Channel Si 6 mA 65 V 2 MHz to 175 MHz 13 dB 120 W SMD/SMT
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
数据表
交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 9 A 65 V 200 MHz 13 dB 80 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 221-11-3 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 20
倍数： 20

N-Channel Si 13 A 65 V 500 MHz 8.8 dB 100 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 333-04 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 20
倍数： 20
N-Channel Si 65 V 100 MHz to 500 MHz 10 dB 40 W - 55 C + 150 C SMD/SMT 319-07 Tray
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

GaAs 90 mA to 120 mA 26 GHz 16 dB 25 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

GaAs 160 mA to 200 mA 18 GHz 13 dB 28.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

GaAs 40 mA to 60 mA 28 GHz 14 dB 21.5 dBm + 150 C Die Bulk
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 100
倍数： 100
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C Screw Mount SOT1135A-3 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 60
倍数： 60

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C Screw Mount SOT1135A-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 100
倍数： 100
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 65 V 69 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 19 dB 140 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 60
倍数： 60

N-Channel LDMOS 65 V 69 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 19 dB 140 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 100
倍数： 100
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Reel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 60
倍数： 60

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband pwr LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 100
倍数： 100
卷轴: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 17.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT1121B-5 Reel