|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PXAD184218FV-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥1,369.221
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PXAD184218FV1R2
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥1,369.221
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
|
|
|
Dual N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
30 mOhms
|
1.805 GHz to 1.88 GHz
|
16 dB
|
420 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
H-37275G-6/2
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PXAD214218FV-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥1,510.0077
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PXAD214218FV1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥1,510.0077
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 50
倍数： 50
|
|
|
Dual N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
90 mOhms
|
2.11 GHz to 2.17 GHz
|
16 dB
|
430 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
H-37275G-6/2
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PXFC191507FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥737.0312
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PXFC191507FC1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥737.0312
|
|
|
¥661.1969
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 50
倍数： 50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
50 mOhms
|
1.805 GHz to 1.99 GHz
|
20.5 dB
|
150 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
H-37248G-4/2
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PXFC191507FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥661.2873
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PXFC191507FC1R2
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥661.2873
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
50 mOhms
|
1.805 GHz to 1.99 GHz
|
20.5 dB
|
150 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
H-37248G-4/2
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PXFC192207FH-V3-R250
- MACOM
-
250:
¥980.4671
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PXFC192207FH3R2
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥980.4671
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
30 mOhms
|
1.805 GHz to 1.99 GHz
|
20.5 dB
|
220 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
H-37288G-4/2
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
- PXFE181507FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥604.663
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PXFE181507FCV1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
|
|
无库存
|
|
|
¥604.663
|
|
|
¥540.7389
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 50
倍数： 50
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
- PXFE181507FC-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥540.8293
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PXFE181507FCV1R2
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
|
|
无库存
|
|
|
¥540.8293
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
- PXFE211507FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥604.663
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PXFE211507FCV1R0
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
|
|
无库存
|
|
|
¥604.663
|
|
|
¥540.7389
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 50
倍数： 50
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
- PXFE211507FC-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥540.8293
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PXFE211507FCV1R2
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
|
|
无库存
|
|
|
¥540.8293
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
- MRF150
- MACOM
-
无库存交货期 38 周
-
工厂特别订单
|
Mouser 零件编号
937-MRF150
工厂特别订单
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
|
|
无库存交货期 38 周
|
|
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
16 A
|
125 V
|
|
150 MHz
|
17 dB
|
150 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
221-11-3
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB
|
Mouser 零件编号
937-MRF151
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB
|
|
无库存交货期 36 周
|
|
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
16 A
|
125 V
|
|
175 MHz
|
13 dB
|
150 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
221-11-3
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
- MRF151G
- MACOM
-
无库存交货期 30 周
-
工厂特别订单
|
Mouser 零件编号
937-MRF151G
工厂特别订单
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
|
|
无库存交货期 30 周
|
|
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
40 A
|
125 V
|
|
175 MHz
|
14 dB
|
300 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included
- LTA/PTRA084858NF-V1
- MACOM
-
1:
¥6,387.1668
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-TAPTRA084858NFV1
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included
|
|
无库存
|
|
|
¥6,387.1668
|
|
|
¥5,615.4107
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
否
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included
- LTA/PTRA095908NB-V1
- MACOM
-
1:
¥6,387.1668
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-TAPTRA095908NBV1
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included
|
|
无库存
|
|
|
¥6,387.1668
|
|
|
¥5,615.4107
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
否
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included
- LTA/PTRA097058NB-V1
- MACOM
-
1:
¥6,387.1668
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-TAPTRA097058NBV1
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included
|
|
无库存
|
|
|
¥6,387.1668
|
|
|
¥5,615.4107
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
否
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier Doherty, 2615-2675 MHz, PXAE261908NF LDMOS FET included
- LTA/PXAE261908NF-V1
- MACOM
-
1:
¥6,387.1668
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-TAPXAE261908NFV1
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier Doherty, 2615-2675 MHz, PXAE261908NF LDMOS FET included
|
|
无库存
|
|
|
¥6,387.1668
|
|
|
¥5,615.4107
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
否
|
|
|
Si
|
10 mA
|
65 V
|
80 mOhms
|
2.515 GHz to 2.675 GHz
|
13.5 dB
|
240 W
|
|
+ 225 C
|
Screw Mount
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1
Microchip Technology ARF1511
- ARF1511
- Microchip Technology
-
10:
¥2,709.3671
-
无库存交货期 24 周
|
Mouser 零件编号
494-ARF1511
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1
|
|
无库存交货期 24 周
|
|
|
¥2,709.3671
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 10
倍数： 10
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
Microchip Technology ARF463BG
- ARF463BG
- Microchip Technology
-
30:
¥342.6047
-
无库存交货期 24 周
|
Mouser 零件编号
494-ARF463BG
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
|
|
无库存交货期 24 周
|
|
|
¥342.6047
|
|
|
¥290.0032
|
|
最低： 30
倍数： 30
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
Microchip Technology ARF468BG
- ARF468BG
- Microchip Technology
-
25:
¥541.7898
-
无库存交货期 24 周
|
Mouser 零件编号
494-ARF468BG
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
|
|
无库存交货期 24 周
|
|
|
¥541.7898
|
|
|
¥458.4071
|
|
最低： 25
倍数： 25
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
22 A
|
500 V
|
300 mOhms
|
45 MHz
|
15 dB
|
300 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264
Microchip Technology ARF469AG
- ARF469AG
- Microchip Technology
-
25:
¥586.0406
-
无库存交货期 24 周
|
Mouser 零件编号
494-ARF469AG
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264
|
|
无库存交货期 24 周
|
|
|
¥586.0406
|
|
|
¥495.9683
|
|
最低： 25
倍数： 25
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264
Microchip Technology ARF469BG
- ARF469BG
- Microchip Technology
-
1:
¥586.0406
-
无库存交货期 24 周
|
Mouser 零件编号
494-ARF469BG
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264
|
|
无库存交货期 24 周
|
|
|
¥586.0406
|
|
|
¥495.9683
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M208
Microchip Technology VRF141G
- VRF141G
- Microchip Technology
-
10:
¥1,429.4161
-
无库存交货期 22 周
|
Mouser 零件编号
494-VRF141G
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M208
|
|
无库存交货期 22 周
|
|
|
¥1,429.4161
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 10
倍数： 10
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174
Microchip Technology VRF141MP
- VRF141MP
- Microchip Technology
-
10:
¥1,180.9404
-
无库存交货期 22 周
|
Mouser 零件编号
494-VRF141MP
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174
|
|
无库存交货期 22 周
|
|
|
¥1,180.9404
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 10
倍数： 10
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
Microchip Technology VRF151MP
- VRF151MP
- Microchip Technology
-
1:
¥1,182.5902
-
无库存交货期 22 周
|
Mouser 零件编号
494-VRF151MP
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
|
|
无库存交货期 22 周
|
|
|
¥1,182.5902
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
16 A
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180 V
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175 MHz
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22 dB
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150 W
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- 65 C
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+ 150 C
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Screw Mount
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
Microchip Technology VRF152MP
- VRF152MP
- Microchip Technology
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10:
¥1,772.518
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无库存交货期 22 周
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Mouser 零件编号
494-VRF152MP
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Microchip Technology
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
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无库存交货期 22 周
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¥1,772.518
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报价
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报价
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最低： 10
倍数： 10
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Si
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