|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208
- VRF151G
- Microchip Technology
-
10:
¥1,444.0609
-
无库存交货期 22 周
|
Mouser 零件编号
494-VRF151G
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208
|
|
无库存交货期 22 周
|
|
|
¥1,444.0609
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 10
倍数： 10
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
36 A
|
170 V
|
|
175 MHz
|
16 dB
|
300 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
SOE-4
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
- VRF152
- Microchip Technology
-
1:
¥870.0096
-
无库存交货期 22 周
|
Mouser 零件编号
494-VRF152
|
Microchip Technology
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
|
|
无库存交货期 22 周
|
|
|
¥870.0096
|
|
|
¥736.2515
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
20 A
|
130 V
|
|
175 MHz
|
22 dB
|
150 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
- PD54008TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥74.7721
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD54008TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
5 A
|
25 V
|
|
1 GHz
|
11.5 dB
|
8 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD55015STR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥80.3204
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD55015STR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
5 A
|
40 V
|
|
1 GHz
|
14 dB
|
15 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
- PD55025TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥158.8102
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD55025TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
7 A
|
12.5 V
|
|
500 MHz
|
14.5 dB
|
25 W
|
|
+ 165 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-2
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD57018STR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥173.6245
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57018STR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2.5 A
|
65 V
|
760 mOhms
|
1 GHz
|
16.5 dB
|
18 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD57018TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥176.1896
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57018TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥176.1896
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 600
倍数： 600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2.5 A
|
65 V
|
760 mOhms
|
1 GHz
|
16.5 dB
|
18 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD57030S-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥293.8904
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57030S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 400
倍数： 400
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
4 A
|
65 V
|
|
1 GHz
|
14 dB
|
30 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD57045-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥338.2203
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57045-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥338.2203
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 400
倍数： 400
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
5 A
|
65 V
|
|
1 GHz
|
13 dB
|
45 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
- PD57060S-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥337.7344
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57060S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 400
倍数： 400
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
7 A
|
65 V
|
|
1 GHz
|
14.3 dB
|
60 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
- PD57060TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥360.9672
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57060TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥360.9672
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 600
倍数： 600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
7 A
|
65 V
|
|
1 GHz
|
14.3 dB
|
60 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
- PD85035S-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥157.4881
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD85035S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 400
倍数： 400
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
8 A
|
40 V
|
|
1 GHz
|
14.9 dB
|
35 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
- PD85035STR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥178.8338
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD85035STR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥178.8338
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 600
倍数： 600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
8 A
|
40 V
|
|
1 GHz
|
14.9 dB
|
35 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L15200CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,231.474
-
无库存
|
Mouser 零件编号
511-RF2L15200CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存
|
|
|
¥1,231.474
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 100
倍数： 100
|
|
|
Dual N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
1 Ohms
|
860 MHz
|
17.5 dB
|
200 W
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
LBB-5
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L16180CF2
- STMicroelectronics
-
120:
¥966.8619
-
无库存
|
Mouser 零件编号
511-RF2L16180CF2
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存
|
|
|
¥966.8619
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 120
倍数： 120
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
1 Ohms
|
1.47 GHz
|
17.5 dB
|
180 W
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
B2-3
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L27015CG2
- STMicroelectronics
-
300:
¥303.2355
-
无库存
|
Mouser 零件编号
511-RF2L27015CG2
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存
|
|
|
¥303.2355
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 300
倍数： 300
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
60 V
|
1 Ohms
|
2.7 GHz
|
19 dB
|
15 W
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
E2-3
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L27025CG2
- STMicroelectronics
-
300:
¥274.1154
-
无库存
|
Mouser 零件编号
511-RF2L27025CG2
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存
|
|
|
¥274.1154
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 300
倍数： 300
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
1 Ohms
|
2.7 GHz
|
18 dB
|
25 W
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
E2-3
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L36040CF2
- STMicroelectronics
-
160:
¥491.4144
-
无库存
|
Mouser 零件编号
511-RF2L36040CF2
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存
|
|
|
¥491.4144
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 160
倍数： 160
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
60 V
|
1 Ohms
|
3.6 GHz
|
14 dB
|
40 W
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
A2-3
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
- RF3L05150CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,234.4572
-
无库存
|
Mouser 零件编号
511-RF3L05150CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存
|
|
最低： 100
倍数： 100
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2.5 A
|
28 V
|
1 Ohms
|
945 MHz
|
16 dB
|
150 W
|
|
+ 200 C
|
Through Hole
|
LBB-4
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
- SD2931-12W
- STMicroelectronics
-
50:
¥560.7286
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-SD2931-12W
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低： 50
倍数： 50
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
- SD2933W
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,123.8641
-
交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-SD2933W
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
|
|
交货期 28 周
|
|
|
¥1,123.8641
|
|
|
¥886.4624
|
|
|
¥859.252
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- SD3931-10
- STMicroelectronics
-
50:
¥571.2376
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-SD3931-10
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
|
¥571.2376
|
|
|
¥560.7286
|
|
最低： 50
倍数： 50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
10 A
|
250 V
|
|
150 MHz
|
21.3 dB
|
175 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
M174
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- SD3933
- STMicroelectronics
-
50:
¥1,071.4208
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-SD3933
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低： 50
倍数： 50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
20 A
|
250 V
|
|
200 MHz
|
29 dB
|
350 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
M177
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
- SD4933
- STMicroelectronics
-
50:
¥900.7795
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-SD4933
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低： 50
倍数： 50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
40 A
|
200 V
|
|
100 MHz
|
24 dB
|
300 W
|
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
M177
|
Bulk
|
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
- SD56060
- STMicroelectronics
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60:
¥1,255.4639
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无库存交货期 28 周
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Mouser 零件编号
511-SD56060
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STMicroelectronics
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
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无库存交货期 28 周
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最低： 60
倍数： 60
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N-Channel
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Si
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8 A
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65 V
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60 W
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- 65 C
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+ 200 C
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Screw Mount
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M246
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Bulk
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