射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 627
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
数据表
266库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 14 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
数据表
33库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 20 A 130 V 175 MHz 15 dB 175 W + 200 C Screw Mount Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz
数据表
80库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 40 A 130 V 175 MHz 15 dB 350 W + 200 C Screw Mount Tube


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
数据表
21库存量
50预期 2026/3/10
最低： 1
倍数： 1

Si Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
数据表
93库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 40 A 200 V 100 MHz 24 dB 300 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M177MR-5 Tray
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
数据表
51库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M243 Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
数据表
88库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 40 A 130 V 250 MHz 21 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC244B Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB
数据表
279库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 5 A 65 V 400 MHz 13 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS
数据表
72库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 13 A 65 V 200 MHz 9 dB 125 W - 65 C + 200 C Screw Mount 211-07
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART150FE/SOT467C/TRAY
数据表
85库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel LDMOS 65 V 482 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31 dB 150 W + 225 C Screw Mount SOT467C-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ART35FE/SOT467C/TRAY
数据表
35库存量
240预期 2026/2/20
最低： 1
倍数： 1

N-Channel LDMOS 65 V 1.6 Ohms 1 MHz to 650 MHz 31 dB 35 W + 225 C Screw Mount SOT467C-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
数据表
130库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 300

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 33.5 dB 49.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY
数据表
50库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT502E-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC2425M9LS250/SOT1270/TRAYDP
数据表
70库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel LDMOS 65 V 52.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT1270-1-3 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF13H9L750P/SOT1483/TRAY
数据表
29库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 1.3 GHz 19 dB 750 W + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF647PS/SOT1121/TRAY
数据表
46库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 100 mA 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 17.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT1121B-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF974P/SOT539/TRAY
数据表
79库存量
120在途量
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 700 MHz 25.7 dB 500 W + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF984P/SOT1121/TRAY
数据表
28库存量
60预期 2026/5/22
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 180 mOhms 30 MHz to 860 MHz 22.5 dB 450 W + 225 C Screw Mount SOT1121A-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF989E/SOT539/TRAY
数据表
36库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms, 90 mOhms 400 MHz to 860 MHz 20 dB 1 kW + 225 C Screw Mount SOT539AN-5 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-Stage Power MMIC
数据表
83库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 100

LDMOS 32 V 350 mOhms, 2.35 Ohms 2.4 GHz to 2.5 GHz 27.5 dB 60 W + 150 C SMD/SMT SOT1211-3-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM2425M9S20/OMP-400/TRAYDP
数据表
交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

LDMOS 65 V 350 mOhms, 2.35 Ohms 2.4 GHz to 2.5 GHz 28 dB 20 W + 150 C SMD/SMT OMP-400-8F-1-8 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-stage power MMIC
数据表
75库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 100

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 2.17 GHz 33 dB 45.1 W + 150 C SMD/SMT SOT1212-3-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-Stage Power MMIC
数据表
94库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 100

LDMOS 28 V 1.805 GHz to 2.17 GHz 29 dB 49.6 dBm + 150 C SMD/SMT SOT1212-3-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
数据表
180库存量
500预期 2026/4/29
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 500

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 31.3 dB 44.8 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP0408H9S30/TO270/REEL
数据表
100库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 50 V 1.2 Ohms 400 MHz to 860 MHz 20.2 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel