射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 627
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C
数据表
10库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 10 A 500 V 150 MHz 15 dB 900 W - 55 C + 175 C Screw Mount
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
数据表
323库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz 36库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 40 A 125 V 250 MHz 15 dB 300 W + 200 C Screw Mount Tube
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 4.5 A 65 V 150 MHz 17 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1

GaAs 240 mA to 280 mA 18 GHz 13 dB 30 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
数据表
10库存量
最低： 1
倍数： 1

GaAs 310 mA to 360 mA 12 GHz 13 dB 30.5 dBm + 150 C Die Bulk

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
30库存量
最低： 10
倍数： 10

N-Channel GaAs 26 GHz 14 dB 24 dBm SMD/SMT Die Gel Pack
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
数据表
10库存量
最低： 10
倍数： 10

GaAs 60 mA to 80 mA 6.5 V 28 GHz 15 dB 23 dBm + 150 C Die Bulk
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9H0610S-60PG/OMP-780/REELDP
数据表
210库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 100

LDMOS 48 V 600 MHz to 1 GHz 35.5 dB 45.3 dBm + 125 C SMD/SMT OMP-780-16G-1-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30G/TO270/REEL
数据表
28库存量
100预期 2026/2/27
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 50 V 890 mOhms 2 GHz 21 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP15H9S30/TO270/REEL
数据表
32库存量
100预期 2026/3/2
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 50 V 890 mOhms 2 GHz 22 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP5LA55S/TO270/REEL
数据表
74库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 100

N-Channel LDMOS 30 V 60 mOhms 520 MHz 19.6 dB 55 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
41库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 50

Si 1 mA 105 V 2.8 Ohms 390 MHz to 450 MHz 25 dB 12 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
7库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 50

N-Channel Si 10 mA 105 V 1.4 Ohms 500 MHz to 1.4 GHz 18 dB 25 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5
数据表
1库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 100

N-Channel Si 100 V 960 MHz to 1.4 GHz 25 dB 10 W - 65 C + 150 C Screw Mount PLD-1.5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology ARF463BP1G
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
数据表
22库存量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 9 A 500 V 100 MHz 15 dB 100 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
MACOM MRF175GU
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

Si
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
数据表
40在途量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 16 A 65 V 100 MHz to 500 MHz 8 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 375-04 Tray
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF647P/SOT1121/TRAY
数据表
236预期 2026/6/19
最低： 1
倍数： 1

Dual N-Channel LDMOS 100 mA 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 18 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT-1121A-5 Tray
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A
数据表
20预期 2026/4/23
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 10 A 500 V 150 MHz 15 dB 900 W - 55 C + 175 C Screw Mount
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS
数据表
20预期 2026/4/24
最低： 1
倍数： 1

Si
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
数据表
50在途量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 26 A 65 V 100 MHz to 500 MHz 11.2 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 375-04 Tray


MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz
数据表
60预期 2026/5/6
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 4 A 65 V 100 MHz to 500 MHz 10 dB 40 W + 200 C Screw Mount
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D1822S-60PBG/OMP-78/REELDP
数据表
300在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 100

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 28.3 dB 45.4 dBm + 150 C SMD/SMT OMP-780-16G-1-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP
数据表
100预期 2026/2/26
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 100

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 29.5 dB 44 dBm + 150 C SMD/SMT OMP-780-16G-1-16 Reel, Cut Tape, MouseReel