STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 204
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH&#34 IGBT
数据表
3,130库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 9 A 25 W - 55 C + 150 C STGF10NC60KD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH&#34 IGBT
数据表
931库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 11 A 28 W - 55 C + 150 C STGF14NC60KD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 600V 15A HiSpd
数据表
722库存量
2,000预期 2026/7/21
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 30 W - 55 C + 175 C STGF15H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
数据表
交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 35 A 32 W - 55 C + 150 C STGF19NC60KD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
29库存量
2,000预期 2026/8/28
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 37 W - 55 C + 175 C STGF20H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
数据表
444库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 32.6 W - 55 C + 175 C STGF20M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
数据表
1,261库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 38 W - 55 C + 175 C STGF30M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH&#34 IGBT
数据表
1,002库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 6 A 20 W - 55 C + 150 C STGF6NC60HD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
数据表
246库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si H2PAK-2 SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpd
数据表
811库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 20 A 115 W - 55 C + 175 C STGP10H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH&#34 IGBT
数据表
2,046库存量
2,000预期 2026/9/18
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 20 A 25 W - 55 C + 150 C STGP10NC60KD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
851库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGP20V60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
数据表
10库存量
1,000预期 2027/2/5
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGP30M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
数据表
2,414库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 15 A 56 W - 55 C + 150 C STGP6NC60HD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
数据表
43库存量
1,200预期 2026/8/21
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 30 A 259 W - 55 C + 175 C STGW15H120DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
数据表
579库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGW25H120DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1250V 25A trench gate field-stop IGBT
数据表
408库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.65 V - 20 V, 20 V 60 A 375 W - 55 C + 175 C STGW28IH125DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH&#34 IGBT
数据表
354库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.1 V - 20 V, 20 V 60 A 200 W - 55 C + 150 C STGW30NC60WD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
597库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGW30V60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
数据表
169库存量
3,600在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGW40H120DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A trench gate field-stop IGBT
数据表
32库存量
600预期 2026/7/29
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H60DLFB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A trench gate field-stop IGBT
数据表
1,050库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H65DFB Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
数据表
产品评论
374库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
811库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40V60DF Tube


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
数据表
226库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 470 W - 55 C + 175 C STGW80H65DFB-4 Tube