Infineon Technologies 1200V CoolSiC™模块
Infineon Technologies 1200V CoolSiC™模块是碳化硅 (SiC) MOSFET模块，具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值电路 (NTC) 和PressFIT触点技术。该款CoolSiC模块具有高电流密度、出色的开关和导通损耗以及低电感设计。这些模块具有高频工作能力、较高的功率密度以及经过优化的开发周期时间和成本。
特性
- 大电流密度
- 出色的开关和导通损耗
- 低电感设计
- 低器件电容
- 具有反向恢复电荷的本征二极管
- 集成NTC温度传感器
- PressFIT触点技术
- 效率高，可降低冷却要求
- 无阈值导通状态特性
- 与温度无关的开关损耗
- 高频工作
- 较高的功率密度
- 优化的开发周期时间和成本
- 符合RoHS指令
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性能图表
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发布日期: 2019-01-07
| 更新日期: 2025-09-30