Infineon Technologies 600V CoolMOS™ S7A功率MOSFET

英飞凌科技 (Infineon Technologies) 600V CoolMOS™ S7A功率MOSFET是超结MOSFET,适用于MOSFET在低频下开关的xEV应用。这些MOSFET的设计具有成本优化型10mΩ低导通电阻RDS(on),可提高功率密度并最大限度地降低导通损耗。S7A MOSFET是符合最高汽车质量要求的车规级AEC-Q101器件。这些MOSFET带有顶部冷却QDPAK和底部冷却QDPAK封装,可提供更高的效率和可控性。600V MOSFET用于HV eFuse、HV eDisconnect和车载充电器。

特性

  • 同类最佳的10mΩRDS(on)
  • 最小RDS(on),采用SMD封装
  • 导通性能得到优化
  • 热阻更高
  • 高脉冲电流能力
  • 交流线路换向时体二极管更稳定
  • 开尔文源极概念
  • 最大限度降低导通损耗
  • 能效更高
  • 设计更紧凑、更容易
  • 功率密度更高
  • 灵活的系统集成
  • 多种冷却策略
  • 可扩展技术

应用

  • 高压电子保险丝
  • 高压电子断开
  • 车载充电器
Infineon Technologies 600V CoolMOS™ S7A功率MOSFET
发布日期: 2023-05-16 | 更新日期: 2024-11-04