Infineon Technologies 消费电子产品用谐振无线充电

Infineon Technologies消费电子产品用谐振无线充电率先在电力传输拓扑中实现快速开关。借助针对栅极充电时间的最佳品质因数 (FOM)、R_DS(on) 和Coss，可实现6.78MHz逆变器设计。出色的功率MOSFET技术可满足频率开关实施方案的需求，尤其在用于D类逆变器设计的30V - 100V领域，以及用于E类逆变器的150V - 250V电压等级。

Infineon无线充电解决方案的优势在于其基于模块化软件的架构。凭借“最酷”的驱动器IC、适用于产品组合中E类实施方案的低侧驱动器，以及基于ARM® Cortex®-M0内核的XMC™ - SC无线功率控制器，Infineon提供了一个功能强大且经济高效的平台，适用于高性能、智能和安全的无线充电应用。关于使用前置稳压器（降压或降压/升压）来控制放大器输入电压的变送器设计，可在20V至400V MOSFET部分查找OptiMOS™解决方案。

系统图：谐振无线充电 – D类、全桥

针对谐振系统的拓扑要求

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氮化镓 (GAN) 和无线充电

Infineon通过采用氮化镓技术，占据了可掌握所有功率技术的独特地位，这些功率技术包括硅 (Si) - 超级结MOSFET、分立式IGBT和模块以及碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽带隙材料。

CoolGaN™设计用于满足并超越未来的无线电源设计需求，并最大限度地提高整体系统性能。它显著降低了寄生电容，因此非常适合用于MHz范围内（例如AirFuel联盟无线充电标准要求的6.78MHz）的频率切换。

Infineon凭借CoolGaN™推出了GaN增强型高电子迁移率晶体管 (e-mode HEMT) 产品组合，该产品组合具有业界领先的场性能，并能够以极具吸引力的整体系统成本实现坚固可靠的系统。与硅FET选项相比，GaN开关性能具有低栅极电荷以及在反向导通中实现出色动态性能。这样即可在现有频率下更加高效地运行，以及在更高频率下运行，从而通过缩小无源元件的尺寸，提高功率密度。

COSS是高频无线功率传输系统中的关键设计因素，CoolGaN™ 600V增强模式HEMT可在E类放大器（尤其是功率超过30W）中实现最佳调谐。与诸多其他解决方案相比，使用CoolGaN™ 600V进行更大功率E类设计具有如下优势：与等效硅MOSFET相比，具有更高的稳健性、质量、可靠性、更低的栅极驱动器损耗和QG，另外还具有几乎线性的COSS，并且在低VDS时不会大幅增加，从而使ZVS在宽负载阻抗范围内正常工作。

我们正在开发并即将推出更多的GaN产品（包括更多的电压等级）。