IXYS X3级HiPerFET™功率MOSFET
IXYS X3级HiPerFET™功率MOSFET是采用N沟道增强模式的耐雪崩快速体二极管。这些MOSFET具有低R
DS(ON)、低栅极电荷 (Q
G) 和高功率密度。IXYS X3级HiPerFET™ 200V至300V功率MOSFET可在高速开关期间消除剩余能量,避免器件发生故障。典型应用包括DC-DC转换器、电源、机器人、伺服控制以及轻型电动汽车用电池充电器。
特性
- 高功率密度
- 易于安装
- 低RDS(ON)和QG
- 温度范围:-55°C至+150°C
- 20Vgs和2.5Vgs(th)
- 出色的雪崩耐受能力
- 高dv/dt稳健性
- Si技术
- 低封装电感
- 快速软恢复体二极管
- 国际标准封装
应用
- 轻型电动汽车用电池充电器
- 开关中的同步整流
- 电源
- 电机控制
- DC-DC转换器
- 不间断电源
- 电动叉车
- D类音频放大器
- 电信系统
- 机器人和伺服控制
相关MOSFET
N通道器件,具有10.6mΩ、13mΩ或21mΩ导通电阻 (RDS(on)) 和200V最大漏源电压。
Easy-to-mount high-power density N-Channel Enhancement Mode MOSFETs with a low RDS(ON) and QG.
具有极低的电阻RDS(on)和栅极电荷Qg的功率MOSFET。
High-current HiPerFET™ power MOSFETs for hard switching & resonant mode applications.
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各种用于热泵的元件,包括保险丝、 TVS二极管、栅极驱动器等。
发布日期: 2017-06-08
| 更新日期: 2023-12-06