Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1沟槽式功率MOSFET
英飞凌科技 650V CoolSiC ™ M1沟槽式功率MOSFET结合了碳化硅的优异物理特性和独特功能，从而提高了器件性能、可靠性和易用性。CoolSiC M1 MOSFET基于先进的沟槽半导体工艺，优化用于实现最低应用损耗和 最高运行可靠性。这些器件适用于高温和恶劣环境，能够简化系统部署，降低成本，并实现最高的系统效率。
CoolSiC M1 MOSFET采用紧凑型TO-247 3引脚/4引脚封装，无铅、无卤，符合RoHS指令。
特性
- 低电容
- 更高电流下优化的开关行为
- 换向稳健快速体二极管，具有低反向恢复电荷(Qrr)
- 出色的栅极氧化物可靠性
- 出色的散热性能
- 出色的雪崩耐受能力
- 搭配标准驱动器
- 高性能、高可靠性且简单易用
- 实现高系统效率
- 降低系统成本和复杂性
- 实现更小系统尺寸
- 采用具有连续硬换向功能的拓扑结构
- 适合高温和恶劣工作环境
- 支持双向拓扑结构
应用
- 服务器
- 电信
- SMPS
- 能量存储和 电池形成
- 太阳能系统/太阳能PV逆变器
- UPS
- 电动汽车充电基础设施
- 电机驱动器
- D类放大器
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封装外形（TO-247 3引脚）
封装外形 (TO-247 4引脚)
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| 物料编号 | 数据表 | 封装 / 箱体 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 | Qg-栅极电荷 | Pd-功率耗散 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IMBG65R057M1HXTMA1 |  |
39 A | 74 mOhms | 28 nC | 161 W | |
| IMBG65R260M1HXTMA1 | |
6 A | 346 mOhms | 22 nC | 65 W | |
| IMBG65R163M1HXTMA1 | |
17 A | 217 mOhms | 27 nC | 85 W | |
| IMBG65R022M1HXTMA1 | |
64 A | 30 mOhms | 67 nC | 300 W | |
| IMBG65R107M1HXTMA1 | |
24 A | 141 mOhms | 35 nC | 110 W | |
| IMBG65R083M1HXTMA1 | |
28 A | 111 mOhms | 44 nC | 126 W | |
| IMBG65R039M1HXTMA1 | |
54 A | 51 mOhms | 41 nC | 211 W | |
| IMBG65R030M1HXTMA1 | |
63 A | 42 mOhms | 49 nC | 234 W | |
| IMZA65R107M1HXKSA1 | |
TO-247-4 | 20 A | 142 mOhms | 15 nC | 75 W |
| IMBG65R072M1HXTMA1 | |
33 A | 94 mOhms | 22 nC | 140 W |
发布日期: 2020-01-22
| 更新日期: 2024-09-23