MACOM 基于氮化镓高电子迁移率晶体管的单片微波集成电路
科锐 基于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)在小占位尺寸封装中实现极宽的带宽。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有出色的性能，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的导热性。与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓高电子迁晶体管具有更高的功率密度和更宽的带宽。
特性
- High efficiency
- High gain
- Wide bandwidth capabilities
- High breakdown voltage
- High saturated electron drift velocity
- High thermal conductivity
应用
- Radars
- Broadband amplifiers
- Satcom and point-to-point radios
- Data link and tactical data link
- Jamming amplifiers
- Test equipment amplifiers
- Marine radars
Product Overview
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MACOM X 波段氮化镓高电子迁移率晶体管和单片微波集成电路
击穿场强增加了五倍，功率密度增加了 10 到 20 倍。
MACOM 氮化镓高电子迁晶体管
与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓高电子迁晶体管具有更高的功率密度和更宽的带宽。
发布日期: 2014-07-17
| 更新日期: 2024-01-19