Nexperia PMVxx P 沟道沟槽式 MOSFET
恩智浦 P 沟道沟槽式 MOSFET 是采用小型 SOT23 (SMD) 塑料封装的增强模式场效应晶体管。它们采用沟槽式 MOSFET 技术，提供低阈值电压并可以非常快的速度开关。这些 MOSFET 适合运用于继电器驱动器、 高速线路驱动器、低侧负载开关及开关电路等应用中。
特性
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- 2kV ESD protected
- Low on-state resistance
- Enhanced power dissipation capability of 1096mW
- Enhanced power dissipation capability: Ptot= 1000mW
应用
- Relay driver
- High-speed line driver
- High-side load switch
- Switching circuits
Related Products
Nexperia 耐重复雪崩的ASFET
40VDS至60VDS最大漏极-源极电压、16ID至40ID漏极电流和7.9QGD栅极-漏极电荷。
Nexperia 便携式设备用小信号MOSFET (SSMOS)
小型WLCSP和无引线DFN封装，适合用于移动和便携式应用。
Nexperia GAN041-650WSB氮化镓（GaN）FET
具有650V漏源电压、47.2A漏极额定电流以及41mΩ最大电阻。
Nexperia BSH205G2 20V P 沟道沟槽式 MOSFET
采用 小型 SOT23 表面贴装式塑料封装的增强模式场效应晶体管。
Nexperia BSN20 60V N 沟道沟槽式 MOSFET
适用于高频应用的逻辑-电平兼容型、快速开关 MOSFET。
View Results ( 4 ) Page
| 物料编号 | 数据表 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 | Vgs th-栅源极阈值电压 | Vgs - 栅极-源极电压 | Qg-栅极电荷 | Pd-功率耗散 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PMV50XPR |  |
4.4 A | 48 mOhms | 900 mV | - 12 V, 12 V | 7.7 nC | 1.096 W |
| PMV33UPE,215 | |
5.3 A | 30 mOhms | 950 mV | - 8 V, 8 V | 14.7 nC | 980 mW |
| PMV75UP,215 | |
3.2 A | 77 mOhms | 900 mV | - 12 V, 12 V | 5 nC | 1 W |
| PMV50XPAR | |
3.6 A | 60 mOhms | 1 V | - 10 V, 10 V | 7.7 nC | 1.096 W |
发布日期: 2015-03-10
| 更新日期: 2023-02-07