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onsemi NVXK2VR80WxT2碳化硅 (SiC) 模块

安森美  NVXK2VR80WxT2碳化硅 (SiC) 模块是1200V、80mΩ 三相桥式电源模块，采用双列直插封装 (DIP)。这些碳化硅模块设计紧凑，具有低模块总电阻。NVXK2VR80WxT2电源模块是符合AEC-Q101和AQG324标准的汽车级 器件。此系列电源模块不含铅，符合ROHS和UL94V-0标准。NVXK2VR80WxT2碳化硅模块具有温度传感功能和极低热阻，使其非常适合用于xEV应用中的PFC车载充电器。

特性

  • DIP碳化硅（SiC）三相桥式电源模块
  • 漏极-源极电压（VDSS）：1200V
  • 连续漏极电流（ID）：20A - （NVXK2VR80WDT2）
  • 连续漏极电流（ID）：31A -（NVXK2VR80WXT2）
  • 漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）：80mΩ（典型值）
  • 工作结温（TJ）范围：-55°C至175°C
  • 爬电距离和电气间隙，符合IEC60664-1和IEC 60950-1标准
  • 设计紧凑，实现低模块总电阻
  • 模块串行化，实现完全可追溯性
  • 无铅
  • 符合RoHS指令和UL94V-0标准
  • 符合AEC-Q101和AQG324的汽车级标准

应用

  • PFC，用于xEV应用中的车载充电器
  • 用于EV-PHEV的11kW至22kW车载充电器

SiC MOSFET三相桥式模块

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1200V、40mΩ 和27A双路半桥EliteSiC电源模块，采用双列直插封装 (DIP)。

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物料编号 数据表 Id-连续漏极电流 Pd-功率耗散 Rds On-漏源导通电阻 Vds-漏源极击穿电压 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 通道数量 上升时间 下降时间 长度 宽度 高度 封装 / 箱体 封装 RoHS - 贸泽
NVXK2VR80WDT2 NVXK2VR80WDT2 数据表 20 A 82 W 116 mOhms 1.2 kV - 15 V, + 25 V 4.3 V 6 Channel 12 ns 9 ns 44.2 mm 29 mm 5.8 mm APM-32 Tube Y
NVXK2VR80WXT2 NVXK2VR80WXT2 数据表 31 A 208 W 116 mOhms 1.2 kV - 15 V, + 25 V 4.3 V 6 Channel 12 ns 9 ns 44.2 mm 29 mm 5.8 mm APM-32 Tube Y
发布日期: 2024-08-06 | 更新日期: 2024-08-28