onsemi Trench8 MOSFET
onsemi Trench8 MOSFET具有低最大导通电阻 (RDS(ON))、超低栅极电荷 (Qg) 和低 Qg x RDS(ON)，后者是功率转换应用MOSFET的关键品质因数 (FOM)。Trench8 MOSFET具有基于T6技术的优化开关性能，与Trench6系列相比，Qg 和Qoss 分别降低了35%至40%。Onsemi Trench8 MOSFET采用多种封装类型，设计灵活。符合AEC-Q101标准，并具有PPAP功能，适合用于汽车应用。其中许多器件采用侧面可润湿封装，可进行自动光学检测（AOI）。
特性
- 符合AEC-Q101标准，并具有PPAP功能
- 经过优化的设计，可最大限度地降低导通和开关损耗
- 经过优化的封装，可最大限度地降低寄生电感
- 经过优化的材料，用于提高散热性能
- 漏极-源极击穿电压 (VDS) 范围：25V至80V
- 连续漏极电流 (ID) 范围：11.6A到351A
- 漏极-源极导通电阻 (RDS(ON)) 范围：0.7mΩ至55m
- 栅极-源极电压 (VGS)：±20V
- 栅极-源极阈值电压 (VGS(TH)) 范围：1.1V至4.0V
- 栅极电荷 (Qg) 范围：4.7nC至166nC
- 功率耗散 (Pd) 范围：860mW至311W
- 封装选项：
- DFN-5、DFN-8、DFNW-8、H-PSOF-8、PQFN-8、SO-8、SO-8FL、SO-FL-8L、WDFN-6、WDFN-8、WQFN-12
- 提供可湿性侧翼选项
- 工作和结温范围
- 工业：-55°C至+125°C
- 汽车：-55°C至+150°C
- 无铅，符合RoHS指令
应用
- 汽车（仅限符合AEC-Q101标准选项）
- EV/HEV充电器（仅限符合AEC-Q101标准选项）
- 高性能直流-直流转换器
- 系统电压轨
- 网络通信和电信
- 服务器
- 负载点 (POL)
- 电机驱动器
视频
特色产品
onsemi NTMFS5H419NL 40V 150A N通道功率MOSFET
单N通道功率MOSFET，具有低导通电阻、低栅极电荷和低电容。
onsemi NTTFS6H850NL单N通道功率MOSFET
低漏极-源极导通电阻和低电容，可最大限度地降低驱动器损耗。
onsemi NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL N沟道MOSFET
控制 (Q2) 和同步 (Q1) MOSFET设计用于提供最佳功率效率。
onsemi NVMFS6H8x功率MOSFET
80V、单N通道的小型器件，设计紧凑。
onsemi NVMFS6H824NLT1G和NVTFS6H888NLTAG功率MOSFET
符合AEC-Q101标准的车规级功率MOSFET，采用小尺寸DFN5封装，设计紧凑。
onsemi NVMFD6H852NL 80V 25A汽车用功率MOSFET
符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能的双N通道MOSFET，适合用于汽车应用。
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发布日期: 2021-04-12
| 更新日期: 2025-03-04