ROHM Semiconductor RQ6 P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RQ6 P沟道功率MOSFET具有低导通电阻,采用 大功率小型模具封装 (TSMT6)。ROHM提供从小信号产品到800V高压产品的宽电压系列。它们可用于各种应用,如电源和电机驱动电路。
特性
- 低导通电阻
- 大功率小型模具封装 (TSMT6)
- 无铅电镀;符合RoHS指令
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Deliver ultra-fast switching speeds and low on-resistance in a broad range of package types.
低导通电阻,功率耗散高达142 W,采用小型大功率封装。
具有低导通电阻,采用小型表面贴装封装 (SOP8)。
具有低导通电阻,采用大功率小型模具封装 (HUML2020L8)。
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发布日期: 2021-01-26
| 更新日期: 2022-03-11