ROHM Semiconductor N沟道SiC功率MOSFET
ROHM SemiconductorN沟道SiC（碳化硅）功率MOSFET在开关期间不会产生尾电流，因此动作更快，开关损耗更低。它们的低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。这些ROHM SiC Power MOSFET的导通电阻增加非常微弱，封装小型化更为出色。与标准硅器件相比，它们具有更出色的节能效果，在标准硅器件中，导通电阻随温度的升高可增加一倍以上。
SiC MOSFET的特性在医学成像设备中特别有价值。其近乎瞬时的开关速度使制造商能够为X光机制造高压开关，让技术人员能够在测试过程中更好地控制辐射暴露，同时保证高品质。在制造业，ROHM SCT2080KE MOSFET通过提供一个陡升时间来提高生产效率，从而提升脉冲发生器的效率。
特性
- 低导通电阻
- 650V - 120mΩ
- 1200V - 80mΩ至450mΩ
- 1700V - 750mΩ至1150mΩ
- 开关速度快
- 功耗大大降低
- 易于并行工作
- 易于驱动
- 无铅电镀
- 快速反向恢复
- 符合RoHS标准
应用
- 开关电源
- 太阳能逆变器
- UPS
- 电动车充电桩
- 感应加热装置
- 电机驱动
- 火车
- 风电变流器
视频
Development Tools
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