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STMicroelectronics MDmesh™ M9 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9功率MOSFET具有增强器件结构、低导通电阻和低栅极电荷值。这些功率MOSFET具有高反向二极管dv/dt和MOSFET dv/dt稳健性、大功率密度和低导通损耗。MDmesh M9功率MOSFET还具有高开关速度、高效率和低开关功率损耗。这些功率MOSFET设计采用创新的高压超级结技术，具有出色的品质因数 (FoM)。高FoM可实现更高的功率水平和密度，从而实现更紧凑的解决方案。典型应用包括服务器、电信数据中心、5G电源站、微逆变器和快速充电器。

特性

  • 出色的品质因数（RDS(on) x Qg）
  • 出色的RDS(on)，适用于650V电压范围
  • 低Qg
  • 增强了反向二极管dv/dt和MOSFET dif/dt耐用性
  • 大功率级
  • 大功率密度和低导通损耗
  • 高效率和低开关损耗
  • 开关速度高
  • 高稳健性和可靠性，实现更紧凑的设计

应用

  • 通信服务器和数据中心
  • 5G发电厂
  • 平板电视面板和PC SMPS
  • 快速充电器
  • 太阳能微逆变器

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应用重点：测试和分析

STMicroelectronics MDmesh™ M9 MOSFET

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物料编号 数据表 安装风格 Id-连续漏极电流 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 Pd-功率耗散
STP65N045M9 STP65N045M9 数据表 Through Hole 55 A 4.2 V 80 nC 245 W
STP60N043DM9 STP60N043DM9 数据表 Through Hole 56 A 4.5 V 78.6 nC 245 W
STH65N050DM9-7AG STH65N050DM9-7AG 数据表 SMD/SMT 51 A 4.5 V 100 nC 266 W
STHU65N050DM9AG STHU65N050DM9AG 数据表 SMD/SMT 51 A 4.5 V 100 nC 245 W
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STW65N023M9-4 STW65N023M9-4 数据表 Through Hole 95 A 4.2 V 230 nC 463 W
STW65N045M9-4 STW65N045M9-4 数据表 Through Hole 54 A 4.2 V 80 nC 312 W
STWA65N023M9 STWA65N023M9 数据表 Through Hole 95 A 4.2 V 230 nC
发布日期: 2023-01-23 | 更新日期: 2026-01-26