Nexperia 面向工业应用的GaN FET
Nexperia 面向工业应用的GaN FET在功率转换和控制方面具有高效率。对于某些应用而言，功率转换效率和功率密度对于市场采用至关重要。主要例子包括高压通信和工业基础设施行业。GaN FET可实现更小、更快、散热、更轻的系统，并具有更低的整体系统成本。
特性
- 高功率转换效率：>99%
- 软开关时高达1MHz（高功率密度）
- 易于设计栅极驱动
- 额定FET达+175°C
- 低和线性EOSS
- 几乎没有Qrr
- 反向条件下WBG FET损耗最低
- 0V至12V标准栅极驱动
- 无双极体二极管降级
应用
- 太阳能逆变器（单相）
- 服务器和电信SMPS
- 工业自动化（伺服电机）
- 工业SMPS
特色产品
Nexperia GAN041-650WSB氮化镓（GaN）FET
具有650V漏源电压、47.2A漏极额定电流以及41mΩ最大电阻。
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了解详情
Nexperia eMode GaN FET
该器件的电压范围为100V至650V，具有出色的开关性能。
发布日期: 2022-02-28
| 更新日期: 2023-05-05