Nexperia GAN041-650WSB氮化镓（GaN）FET

Nexperia GAN041-650WSB氮化镓（GaN）FET具有650V漏源电压、47.2A漏极额定电流以及41mΩ最大电阻。  GAN041采用TO-247封装，是一款常关型器件，将高压GaN HEMT H2技术和低压硅MOSFET技术结合在一起。这些技术组合可以提供出色的可靠性和性能。Nexperia GAN041-650WSB GaN FET非常适合用于无桥图腾柱PFC、伺服电机驱动器以及工业和数据通信电源用硬开关和软开关转换器。