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onsemi 650V EliteSiC (碳化硅) MOSFET

安森美（onsemi）650V EliteSiC（碳化硅）MOSFET采用的技术与硅器件相比，可提供出色的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括最高效率、更快工作频率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。安森美（onsemi）TOLL封装具有开尔文源极配置和较低的寄生源极电感，可提高散热性能并具有出色的开关性能。TOLL提供1级潮湿敏感度 (MSL 1)。

特性

  • 最高结温：175°C
  • 无引线薄型SMD封装
  • 开尔文源极配置
  • 超低栅极电荷
  • 低有效输出电容
  • 体二极管的零反向恢复电流
  • 低RDS(on)
  • 额定电压：650V
  • 100%经雪崩测试
  • 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令
  • 湿度灵敏性等级：1级

应用

  • 电信
  • 云系统
  • 工业
  • 电信电源
  • 服务器电源
  • UPS/ESS
  • 太阳能

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可满足太阳能逆变器和电动汽车充电器等严苛应用的需求。

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物料编号 数据表 描述
NTBL060N065SC1 NTBL060N065SC1 数据表 碳化硅MOSFET M2 650V SIC MOSFET 60MOHM
NTBL075N065SC1 NTBL075N065SC1 数据表 碳化硅MOSFET M2 650V SIC MOSFET 75MOHM
NTH4L016N065M3S NTH4L016N065M3S 数据表 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
NVH4L016N065M3S NVH4L016N065M3S 数据表 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
NTH4L012N065M3S NTH4L012N065M3S 数据表 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
NVH4L012N065M3S NVH4L012N065M3S 数据表 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
发布日期: 2024-05-10 | 更新日期: 2024-07-25