onsemi NVHL015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美（onsemi） NVHL015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET采用新技术，具有出色的开关性能和高可靠性。该碳化硅MOSFET采用N沟道，具有高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系统尺寸。NVHL015N065SC1 MOSFET具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，这样确保了低的电容和栅极电荷。该EliteSiC MOSFET经过了100%的UIL测试，并符合AEC−Q101标准。NVHL015N065SC1 MOSFET具有650V漏极−−源极电压和12mohm电阻。典型应用包括汽车牵引逆变器、EV/HEV直流/直流转换器，以及车载充电器。
特性
- RDS(on)= 12mΩ（VGS= 18V时）
- RDS(on)= 15mΩ（VGS= 15V时）
- 漏-源电压：650V
- 超低栅极电荷（QG(tot)= 283nC）
- 高速开关、低电容（Coss= 430pF）
- 100%经雪崩和UIL测试
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 不含卤素
- 符合RoHS标准
应用
- 汽车板载充电器
- 汽车直流/直流转换器（用于EV/HEV）
- 汽车牵引逆变器
尺寸图
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发布日期: 2024-02-14
| 更新日期: 2024-09-09