onsemi 900V EliteSiC（碳化硅）MOSFET
安森美（onsemi）900V EliteSiC（碳化硅）MOSFET采用的技术与硅器件相比，可提供出色的开关性能和更高的可靠性。而且，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括高效率、更快工作频率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。
特性
- 额定电压：900V
- 低导通电阻
- 紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷
- 高速开关，低电容
- 100%经UIL测试
- 符合 AEC-Q101
应用
- 汽车
- 电动汽车 (EV)/插入式混合动力汽车 (PHEV) 用直流/直流转换器
- 板载充电器
- 辅助电机驱动器
- 太阳能逆变器
- 网络电源
- 服务器电源
- 功率因数校正 (PFC)
- 升压逆变器
- 光伏 (PV) 充电
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发布日期: 2020-04-01
| 更新日期: 2024-06-07