onsemi NTBG028N170M1 1700V碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美 (onsemi) NTBG028N170M1 1700 V碳化硅 (SiC) MOSFET优化用于快速开关应用。 安森美 (onsemi) MOSFET采用平面技术，可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。该系列由20V栅极驱动驱动时可提供最佳性能，但也可与18V栅极驱动配合使用。
特性
- 典型值RDS(on) = 28 mΩ
- 超低栅极电荷（典型值QG (tot) =222nC）
- 低有效输出电容（典型值Coss =200pF）
- 100% 经雪崩测试
- 符合RoHS指令
应用
- UPS
- 直流/直流转换器
- 升压转换器
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发布日期: 2022-11-10
| 更新日期: 2023-11-02