onsemi M3P EliteSiC MOSFET
onsemi M3P EliteSiC MOSFET是一款高压应用解决方案，最大额定电压为1200V。 onsemi M3P MOSFET采用D2PAK7、TO-247-3LD和TO-247-4LD封装/该MOSFET具有多种功能，可满足各种设计要求。 EliteSiC MOSFET具有+22V/-10V最大栅极-源极电压，改良寄生电容，包括Coss、Ciss和Crss。
特性
- 电压：1200V
- D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LD封装
- 最大栅极-源极电压：+22V/-10V
- 改进的寄生电容（Coss、Ciss、Crss）
- 优化用于在高温下工作，在整个温度范围内实现稳定的反向恢复（1200V 22MΩ M3S Qrr 比1200V 20mΩ低~46%）
- 可用于替代1200V IGBT
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发布日期: 2023-04-04
| 更新日期: 2024-08-29