onsemi NTBG014N120M3P碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美 (onsemi) NTBG014N120M3P碳化硅 (SiC) MOSFET属于1200V M3P平面碳化硅MOSFET系列。安森美MOSFET针对功率应用进行了优化。平面技术能可靠地使用负栅极电压驱动，并关闭栅极上的尖峰。该系列由18V栅极驱动驱动时可提供出色性能，但也可与15V栅极驱动配合使用。
特性
- 典型RDS(on) = 14mΩ
- 低开关损耗（74A 800V时的典型值EON 1331J）
- 100%经雪崩测试
应用
- 太阳能逆变器
- 电动汽车充电站
- 不间断电源 (UPS)
- 储能系统
- 开关模式电源 (SMPS)
视频
应用电路
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发布日期: 2022-11-10
| 更新日期: 2024-06-25