onsemi NVBG030N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET
安森美NVBG030N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET是一款1200V M3S平面EliteSiC MOSFET，优化用于快速开关应用。该MOSFET具有107nC超低栅极电荷、106pF低电容高速开关特性以及29mΩ典型漏源导通电阻（VGS=18V时）。NVBG030N120M3S SIC MOSFET由18V栅极驱动器驱动时可提供最佳性能，但也可与15V栅极驱动器配合使用。该MOSFET已通过100%雪崩测试，符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。NVBG030N120M3S MOSFET采用D2PAK-7L封装，可实现低公共源电感，不含铅2LI（二级互连），符合RoHS指令（7a豁免）。典型应用包括车载充电器和直流/直流转换器（用于EV/HEV）。
特性
- RDS(ON) ：30mΩ
- D2PAK-7L封装，可实现低共源极电感
- 15V至18V栅极驱动器范围
- M3S技术（30mΩ RDS(ON)，低EON 与EOFF 损耗）
- 100%经雪崩测试
- 符合AEC-Q101汽车标准
- 无铅2LI（二级互连）
- 不含卤素，符合RoHS指令（7a豁免）
规范
- 107nC超低栅极电荷
- 106pF高速开关，具有低电容
- 典型漏源导通电阻：29mΩ（VGS=18V时）
- 最大零栅极电压漏极电流：100µA
- 正向跨导：30s（典型值）
- 输入电容：2430pF（典型值）
- 输出电容：106pF（典型值）
- 拉电流（体二极管）：68A
- 单脉冲漏极至源极雪崩能量：220mJ
- 最大焊接温度(10s)：270°C
- 工作结温范围：-55°C至175°C
- 储存温度范围：-55°C至175°C
应用
- 汽车车载充电器
- 汽车直流/直流变换器，用于EV/HEV
封装尺寸
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发布日期: 2023-08-09
| 更新日期: 2025-10-01