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onsemi NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET

安森美（onsemi）NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET是设计用于快速开关应用的1200V M3S平面EliteSiC MOSFET。该MOSFET由18V栅极驱动器驱动时可提供最佳性能，但也可与15V栅极驱动器配合使用。NVBG070N120M3S碳化硅MOSFET具有57nC超低栅极电荷、57pF高速开关（低电容）以及65mΩ典型漏极-源极导通电阻（VGS= 18V时）。该MOSFET已100%通过雪崩测试，符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。NVBG070N120M3S SiC MOSFET采用D2PAK-7L封装，符合无铅2LI（二级互连）以及RoHS指令（7a豁免）。典型应用包括车载充电器和直流/直流转换器（用于EV/HEV）。

特性

  • D2PAK-7L封装
  • 栅极驱动器范围：15V至18V
  • M3S技术（64.3mΩ RDS(ON)，具有低EON 和EOFF 损耗）
  • 100%经雪崩测试
  • 符合AEC-Q101汽车标准
  • 无铅2LI（二极互连）
  • 不含卤素，符合RoHS指令，7a豁免

规范

  • 57nC超低栅极电荷
  • 57pF高速开关，具有低电容
  • 漏极-源极导通电阻（VGS= 18V时）：65mΩ（典型值）
  • 最大零栅极电压漏极电流：100µA
  • 正向跨导：12s（典型值）
  • 输入电容：1230pF（典型值）
  • 输出电容：57pF（典型值）
  • 拉电流（体二极管）：33A
  • 单脉冲漏极至源极雪崩能量：91mJ
  • 最高焊接温度 (10s)：270°
  • 工作结温范围：-55°C至175°C
  • 储存温度范围：-55°C至175°C

应用

  • 汽车车载充电器
  • 汽车直流/直流变换器，用于EV/HEV

封装尺寸

机械图纸 - onsemi NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET

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发布日期: 2023-08-10 | 更新日期: 2024-06-18