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onsemi 采用D2-PAK封装的UF3SC高性能碳化硅FET

Qorvo UF3SC高性能碳化硅FET采用D2-PAK-7L (7引脚Kelvin封装），基于独特的“共源共栅”电路配置，具有出色的反向恢复特性。此 电路配置包括一个与Si MOSFET共同封装的常开SiC JFET，以打造常闭SiC FET器件。UF3SC FET具有标准栅极驱动特性，支持真正的 “直接替换” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超级结器件。这些高性能碳化硅FET的最高工作温度为175°C，低栅极电荷为43nC，典型阈值电压为5V。典型应用包括 电信和服务器电源、电机驱动器、感应加热和工业电源。

特性

  • 650V 30mΩ和40mΩ，以及1200V 40mΩ
  • ESD保护和HBM级别2
  • 栅极驱动器特性，带插入式替代品
  • 最高工作温度：175°C
  • 43nC的低栅极电荷
  • 阈值电压：5V（典型值）
  • 开尔文源极引脚，用于优化开关性能

应用

  • 电信和服务器电源
  • 电机驱动器
  • 感应加热
  • 工业电源
  • 功率因数校正模块

封装外形

资源

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物料编号 数据表 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Pd-功率耗散 下降时间 上升时间 典型关闭延迟时间 典型接通延迟时间
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S 数据表 1.2 kV 47 A 35 mOhms 214 W 7 ns, 8 ns 12 ns, 13 ns 47 ns 37 ns
UF3SC065040B7S UF3SC065040B7S 数据表 650 V 43 A 42 mOhms 195 W 9 ns, 12 ns 24 ns, 27 ns 45 ns, 47 ns 22 ns
UF3SC065030B7S UF3SC065030B7S 数据表 650 V 62 A 27 mOhms 214 W 11 ns, 9 ns 26 ns, 28 ns 46 ns 23 ns
发布日期: 2021-05-27 | 更新日期: 2025-07-25