onsemi UF3SC 650V和1200V高性能碳化硅FET

Qorvo UF3SC 650V和1200V高性能SiC FET是碳化硅器件，具有7mΩ至45mΩ的低R_DS(on)，可实现快速开关和更低的开关损耗。这些器件基于独特的共源共栅电路配置，具有超低栅极电荷。级联配置采用常开SiC JFET与硅MOSFET共同封装，以产生常闭SiC FET器件。UF3SC FET具有标准栅极驱动特性，可真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或硅超结器件。这些碳化硅FET具有低内在电容和出色的反向恢复性能。Qorvo UF3SC FET的工作温度范围为-55°C至+175°C，栅极-源极电压范围为-20V至+20V。这些碳化硅FET非常适合用于电动汽车(EV)充电、光伏(PV)逆变器、电机驱动器、开关模式电源、功率因数校正 (PFC) 模块和感应加热。Qorvo UF3SC碳化硅FET采用TO-247-3L和TO-247-4L封装选项，可实现更快开关和干净的栅极波形。