onsemi UF4C/SC 1200 V Gen 4 SiC FET
onsemi UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FET是一个高性能系列，具有业界最佳的性能指标。UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FET是电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、可再生能源、储能、电焊机、UPS和感应加热应用中主流800V总线架构的理想选择。Gen 4系列提供23mΩ 至70mΩ 选项，该系列基于独特的共源共栅配置，其中高性能SiC JFET与共源共栅优化的Si-MOSFET共同封装，产生标准的栅极驱动SiC器件。这一特性可实现灵活的设计，无需改变栅极驱动电压，轻松取代硅IGBT、硅FET、SiC FET或硅超级结器件。
onsemi UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FET采用三引线TO247-3L封装和四引线TO-247-4封装，具有开尔文源连接。该器件采用TO-247-4L封装的开尔文源设计，具有快速开关和低反向恢复特性，同时还能保持干净的栅极波形。它是切换电感负载和需要标准栅极驱动器的应用的理想选择。
特性
- VDS 额定值：1200V
- 低RDS(on) ：23mΩ至70mΩ
- 同类最佳
- RDS(on) x 面积
- RDS(on) x Eoss
- RDS(on) x Coss 、tr
- RDS(on) x Qg
- 出色的阈值噪声裕度，保持真正的5V阈值电压
- 安全驱动标准0V至12V或15V栅极驱动电压
- 可在所有Si IGBT、Si FET和SiC FET驱动电压下工作
- 出色的反向恢复
- 出色的本体二极管性能（Vf <>
- 低栅极电荷
- 低内电容
- ESD保护、HBM级别2
- TO247-3L和TO247-4L（Kelvin）封装
应用
- 车载充电
- 工业电池充电器
- 太阳能中的PFC
- 工业电源
- 电焊机
- 不间断电源 (UPS)
- 感应加热
规格表
视频
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发布日期: 2022-04-21
| 更新日期: 2025-07-25