onsemi 采用D2PAK-7L封装的750V UJ4C/SC SiC FET
Onsemi 750V UJ4C/SC SiC FET采用D2PAK-7L封装，提供从9mΩ到60mΩ的多种导通电阻选择。这些器件采用独特的级联SiC FET技术，将常开SiC JFET与Si MOSFET共同封装成常闭SiC FET，从而实现了出色的RDS x 面积的优越性，在小芯片中实现低传导损耗。D2PAK-7L封装通过紧凑的内部连接环路降低电感，再加上配有的开尔文源极连接，可实现低开关损耗，从而实现更高的工作频率和系统功率密度。五个并联翼形电源连接可实现低电感和大电流使用。银烧结芯片连接具有热阻低的特点，可在标准印刷电路板和采用液体冷却的IMS基板上最大限度地汲取热量。
这些SiC FET具有低体二极管、超低栅极电荷和4.8V阈值电压，允许0V至15V驱动。FET 的标准栅极驱动特性使其成为Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超级结器件的理想替代品。onsemi 750V UJ4C/SC SiC FET具有ESD保护功能，是板载充电器、软开关DC-DC转换器、电池充电（快速直流和工业）以及IT/服务器电源的理想选择。
特性
- 额定VDS ：750V
- 低RDS(on) ：9mΩ至60mΩ
- 关键性能指标实现新一代高性能电源设计
- 高级RDS(on) x 面积
- 改善了给定RDS(on) 下的Qrr和Eon/Eoff 损耗
- 可降低Coss(er)/Eoss和Coss(tr)
- 出色的本体二极管性能（Vf<>
- 低闸门电荷
- +175°C最高工作温度
- 出色的反向恢复（Qrr）
- 4.8VG（th）阈值电压
- 防静电保护，HBM等级2
- 6.7mm的高爬电，7.3mm的间隙距离SMT
- 先进银烧结模具附加优越的热性能
- D2PAK-7L封装
应用
- 车载充电器
- 软开关DC-DC变换器
- 电池充电（直流快充和工业充电）
- IT/服务器电源
产品概述
视频
相关SiC FET
onsemi High-Performance SiC FETs
Deliver ultra-low gate charge and the best reverse recovery characteristics at the same time.
onsemi UF4C/SC 1200 V Gen 4 SiC FET
1200V SiC FET，带RDS(on)，范围为23mΩ至70mΩ，具有业界领先的技术指标。
onsemi UJ4C/SC 750 V Gen 4 SiC FET
750V VDS 碳化硅FET，有5mΩ至60mΩ选项可供选择，具有超低RDS (on) x EOSS 。
发布日期: 2022-07-21
| 更新日期: 2025-07-25